MOS晶体管及用于制造MOS晶体管结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510006288.4

申请日：

2005-02-02

公开(公告)号：

CN1652321A

公开(公告)日：

2005-08-10

发明(设计)人：

福尔克尔·杜德克

申请人：

申请人地址：

联邦德国海尔布隆

IPC主分类号：

H01L21786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

曾立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-04-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101603733315 IPC(主分类):H01L 21/786 专利号:ZL2005100062884 申请日:20050202 授权公告日:20081203 终止日期:20140202
2008-12-03	授权	授权
2005-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

凌龙 .

中国专利 :CN103208452A ,2013-07-17

[2]

MOS晶体管以及制造MOS晶体管的方法 [P].

斯蒂芬·约·塞西尔·亨利·特厄乌文 ;

约翰内斯·阿德里安努斯·马里亚·德博特 ;

约斯·克拉佩 .

中国专利 :CN101326643B ,2008-12-17

[3]

三栅极MOS晶体管及此类晶体管的制造方法 [P].

A·马扎基 ;

R·盖伊 .

中国专利 :CN114335179A ,2022-04-12

[4]

MOS晶体管制造方法及MOS晶体管 [P].

涂火金 ;

郑凯仁 ;

张瑜 ;

胡展源 .

中国专利 :CN113394159A ,2021-09-14

[5]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李文荣 .

中国专利 :CN101477952A ,2009-07-08

[6]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李东勋 .

中国专利 :CN1399319A ,2003-02-26

[7]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103367158B ,2013-10-23

[8]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

金廷澔 .

中国专利 :CN101393870A ,2009-03-25

[9]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李奉载 .

中国专利 :CN102044438B ,2011-05-04

[10]

MOS晶体管 [P].

G·M·格利瓦纳 .

中国专利 :CN207217541U ,2018-04-10

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