一种含有POSS结构超低介电常数聚芳醚酮聚合物及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810498000.7

申请日：

2018-05-23

公开(公告)号：

CN108623811A

公开(公告)日：

2018-10-09

发明(设计)人：

刘新才高健宝赵震顾依洋

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市前进大街2699号

IPC主分类号：

C08G7746

IPC分类号：

C08G6540

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C08G 77/46 申请公布日:20181009
2018-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 77/46 申请日:20180523

共 50 条

[1]

含聚倍半硅氧烷结构聚芳醚酮聚合物及制备方法 [P].

白迪 .

中国专利 :CN105601935A ,2016-05-25

[2]

聚芳醚酮聚合物 [P].

C·路易斯 .

美国专利 :CN115397887B ,2025-11-07

[3]

聚芳醚酮聚合物 [P].

C·路易斯 .

中国专利 :CN115397887A ,2022-11-25

[4]

超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜及其制备方法 [P].

黄宇敏 ;

曹桐 ;

林果 ;

彭军 ;

刘孝波 .

中国专利 :CN114015039B ,2022-02-08

[5]

一种低介电常数POSS/含氟聚芳醚酮纳米复合材料及其制备方法 [P].

王贵宾 ;

耿直 ;

陆亚宁 ;

于滨鸿 ;

张淑玲 ;

姜旭 .

中国专利 :CN103159948B ,2013-06-19

[6]

一种含直链硅氧烷结构聚芳醚酮聚合物、制备方法及应用 [P].

王延波 ;

管月 ;

王荣良 .

中国专利 :CN111925518B ,2020-11-13

[7]

低介电常数聚芳醚酮材料及其制备方法、柔性铜箔层压结构及其制备方法 [P].

李军 ;

张奇东 ;

谭宗尚 ;

刘哲 ;

陶正旺 .

中国专利 :CN120888061A ,2025-11-04

[8]

一种聚芳醚砜酮及其制备方法、聚合物薄膜 [P].

张海博 ;

刘新 ;

商赢双 ;

姜子龙 ;

周晨义 ;

杨洋 ;

何俊杰 .

中国专利 :CN114656639A ,2022-06-24

[9]

含有全氟壬烯结构的双氟单体、制备方法及其在制备聚芳醚酮聚合物中的应用 [P].

岳喜贵 ;

孙汉栋 ;

姜振华 ;

王贵宾 ;

庞金辉 ;

栾佳双 .

中国专利 :CN106588621A ,2017-04-26

[10]

一种低介电常数、常温可溶剂溶解的聚芳醚酮及其制备方法 [P].

李军 ;

陶正旺 ;

赵全心 ;

谭宗尚 .

中国专利 :CN117510833A ,2024-02-06

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