半导体器件及芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920301065.8

申请日：

2019-03-11

公开(公告)号：

CN209515676U

公开(公告)日：

2019-10-18

发明(设计)人：

赖海波朱开兴丘荣贵赖思佳

申请人：

申请人地址：

364012 福建省龙岩市新罗区东肖镇曲潭路15号龙岩市科技创业园一号楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤;董琳

法律状态：

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-19	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 登记号:Y2021990000123 登记生效日:20210128 出质人:福建龙夏电子科技有限公司质权人:龙岩市龙盛融资担保有限责任公司实用新型名称:半导体器件及芯片申请日:20190311 授权公告日:20191018
2019-10-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体芯片及半导体器件 [P].

魏鸿基 ;

郭子晗 ;

王鹏 ;

洪思航 ;

王越 ;

余珍珍 .

中国专利 :CN117894795A ,2024-04-16

[2]

半导体器件及半导体芯片 [P].

魏丹清 ;

陈飞 .

中国专利 :CN114068512A ,2022-02-18

[3]

半导体芯片及半导体器件 [P].

汪志刚 ;

黄孝兵 ;

钟驰宇 ;

余建祖 ;

张卓 ;

熊琴 .

中国专利 :CN118522752A ,2024-08-20

[4]

功率半导体芯片及功率半导体器件 [P].

W·M·舒尔茨 .

中国专利 :CN206282846U ,2017-06-27

[5]

半导体器件及IGBT芯片 [P].

高尚 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

宋飞 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN222442144U ,2025-02-07

[6]

功率半导体器件及芯片 [P].

常东旭 ;

胡磊 ;

李静怡 ;

王振达 ;

李雨衡 ;

周源 ;

王超 ;

朱林迪 ;

梁维佳 .

中国专利 :CN218385230U ,2023-01-24

[7]

功率半导体器件及芯片 [P].

常东旭 ;

李静怡 ;

周源 ;

王超 ;

朱林迪 ;

王振达 ;

梁维佳 ;

胡磊 ;

杨棂鑫 ;

邢岳 .

中国专利 :CN216250738U ,2022-04-08

[8]

半导体器件及其形成方法、芯片 [P].

赖海波 ;

朱开兴 ;

丘荣贵 ;

赖思佳 .

中国专利 :CN109935635A ,2019-06-25

[9]

半导体器件及其形成方法、芯片 [P].

赖海波 ;

朱开兴 ;

丘荣贵 ;

赖思佳 .

中国专利 :CN109935635B ,2024-03-12

[10]

半导体器件及芯片 [P].

丁泊宁 ;

胡爱斌 ;

张宁涛 ;

徐朔 ;

李伟叶 ;

沈煜 .

中国专利 :CN117457718A ,2024-01-26

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