温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷CuBi2V2O9

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610089660.0

申请日：

2016-02-18

公开(公告)号：

CN105693232A

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

方维双邓酩李纯纯

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35453

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670881010 IPC(主分类):C04B 35/453 专利申请号:2016100896600 申请日:20160218
2016-06-22	公开	公开
2021-02-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/453 申请公布日:20160622

共 50 条

[1]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷MgY2V2O9 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

邓酩 .

中国专利 :CN105669200A ,2016-06-15

[2]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGa3Ge2O9 [P].

相怀成 ;

段炼 ;

唐莹 .

中国专利 :CN106220146A ,2016-12-14

[3]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiFe3Ge2O9 [P].

相怀成 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106007675A ,2016-10-12

[4]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGa3Si2O9 [P].

徐敏育 ;

段炼 ;

唐莹 .

中国专利 :CN106242531A ,2016-12-21

[5]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Si2O9 [P].

校凯 ;

段炼 ;

唐莹 .

中国专利 :CN106187133A ,2016-12-07

[6]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷BaSiV2O8 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

王丹 .

中国专利 :CN104844207A ,2015-08-19

[7]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZnNdV2O8 [P].

罗昊 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105272242A ,2016-01-27

[8]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZn2V7O20 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104649670A ,2015-05-27

[9]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiMg2V7O20 [P].

方亮 ;

孙宜华 ;

李东升 ;

孙小华 .

中国专利 :CN104725044A ,2015-06-24

[10]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷ZnLa2V2O9 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

邓酩 .

中国专利 :CN105777122A ,2016-07-20

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