温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZnNdV2O8

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510669369.6

申请日：

2015-10-18

公开(公告)号：

CN105272242A

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

罗昊唐莹方维双

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B 35/495 申请公布日:20160127
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647689936 IPC(主分类):C04B 35/495 专利申请号:2015106693696 申请日:20151018
2016-01-27	公开	公开

共 50 条

[1]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷BaSiV2O8 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

王丹 .

中国专利 :CN104844207A ,2015-08-19

[2]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷SmYV2O8 [P].

方维双 ;

方亮 ;

唐莹 .

中国专利 :CN105198426A ,2015-12-30

[3]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷PrYV2O8 [P].

相怀成 ;

唐莹 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105084895A ,2015-11-25

[4]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷NdYV2O8 [P].

方亮 ;

方维双 ;

唐莹 .

中国专利 :CN105198425A ,2015-12-30

[5]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZnYbV2O8 [P].

相怀成 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105236979A ,2016-01-13

[6]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBaYV2O8 [P].

罗昊 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105036744A ,2015-11-11

[7]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiSrSmV2O8 [P].

王丹 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105236972A ,2016-01-13

[8]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBSiO4 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105948729A ,2016-09-21

[9]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

方清 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28

[10]

低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷GdY2V3O12 [P].

李纯纯 ;

方维双 ;

唐莹 .

中国专利 :CN105060889A ,2015-11-18

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