温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBSiO4

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610441830.7
申请日
2016-06-20
公开(公告)号
CN105948729A
公开(公告)日
2016-09-21
发明(设计)人
方亮 段炼 苏和平
申请人
申请人地址
541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号
IPC主分类号
C04B3516
IPC分类号
C04B35622
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
方亮 ;
方清 ;
孙宜华 .
中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28
[2]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2CuSnO4 [P]. 
校凯 ;
唐莹 ;
段炼 .
中国专利 :CN106187157A ,2016-12-07
[3]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiMgV5O14 [P]. 
方亮 ;
王丹 ;
苏和平 .
中国专利 :CN104761261A ,2015-07-08
[4]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷BaSiV2O8 [P]. 
陈进武 ;
方亮 ;
王丹 .
中国专利 :CN104844207A ,2015-08-19
[5]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZn3WVO9 [P]. 
方亮 ;
王丹 ;
苏和平 .
中国专利 :CN104649667A ,2015-05-27
[6]
一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
方维双 ;
李纯纯 ;
苏和平 .
中国专利 :CN104311020A ,2015-01-28
[7]
一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
方亮 ;
李威 ;
孙宜华 .
中国专利 :CN104311030B ,2015-01-28
[8]
一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
苏聪学 ;
徐军古 ;
巩美露 .
中国专利 :CN104311019B ,2015-01-28
[9]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Cu3SmVO7 [P]. 
唐莹 ;
邓酩 ;
李纯纯 .
中国专利 :CN105693230A ,2016-06-22
[10]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li3BiSnO5 [P]. 
陈军奇 ;
唐莹 ;
段炼 .
中国专利 :CN106187150A ,2016-12-07