温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZn3WVO9

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510066142.2

申请日：

2015-02-09

公开(公告)号：

CN104649667A

公开(公告)日：

2015-05-27

发明(设计)人：

方亮王丹苏和平

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101614588910 IPC(主分类):C04B 35/495 专利申请号:2015100661422 申请日:20150209
2017-04-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750633292 IPC(主分类):H01B 3/12 专利申请号:2015100661422 申请公布日:20150527
2015-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZn2V7O20 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104649670A ,2015-05-27

[2]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBSiO4 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105948729A ,2016-09-21

[3]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

方清 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28

[4]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGa3Ge2O9 [P].

相怀成 ;

段炼 ;

唐莹 .

中国专利 :CN106220146A ,2016-12-14

[5]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiFe3Ge2O9 [P].

相怀成 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106007675A ,2016-10-12

[6]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGa3Si2O9 [P].

徐敏育 ;

段炼 ;

唐莹 .

中国专利 :CN106242531A ,2016-12-21

[7]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Si2O9 [P].

校凯 ;

段炼 ;

唐莹 .

中国专利 :CN106187133A ,2016-12-07

[8]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Cu3SmVO7 [P].

唐莹 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105693230A ,2016-06-22

[9]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li3BiSnO5 [P].

陈军奇 ;

唐莹 ;

段炼 .

中国专利 :CN106187150A ,2016-12-07

[10]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiMgV5O14 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104761261A ,2015-07-08

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