温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Cu3SmVO7

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610089738.9

申请日：

2016-02-18

公开(公告)号：

CN105693230A

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

唐莹邓酩李纯纯

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B3545

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/45 申请公布日:20160622
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670890617 IPC(主分类):C04B 35/45 专利申请号:2016100897389 申请日:20160218
2016-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Cu2YVO6 [P].

方维双 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105693229A ,2016-06-22

[2]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBSiO4 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105948729A ,2016-09-21

[3]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

方清 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28

[4]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li3BiSnO5 [P].

陈军奇 ;

唐莹 ;

段炼 .

中国专利 :CN106187150A ,2016-12-07

[5]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZn3WVO9 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104649667A ,2015-05-27

[6]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Cu3Bi2V2O11 [P].

方维双 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105669184A ,2016-06-15

[7]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiMg2V7O20 [P].

方亮 ;

孙宜华 ;

李东升 ;

孙小华 .

中国专利 :CN104725044A ,2015-06-24

[8]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZn2V7O20 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104649670A ,2015-05-27

[9]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiMgV5O14 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104761261A ,2015-07-08

[10]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷BaSiV2O8 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

王丹 .

中国专利 :CN104844207A ,2015-08-19

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