温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Cu2YVO6

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610088714.1

申请日：

2016-02-17

公开(公告)号：

CN105693229A

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

方维双邓酩李纯纯

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B3545

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/45 申请公布日:20160622
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670878935 IPC(主分类):C04B 35/45 专利申请号:2016100887141 申请日:20160217
2016-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Cu3SmVO7 [P].

唐莹 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105693230A ,2016-06-22

[2]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBSiO4 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105948729A ,2016-09-21

[3]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

方清 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28

[4]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷BaSiV2O8 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

王丹 .

中国专利 :CN104844207A ,2015-08-19

[5]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZnNdV2O8 [P].

罗昊 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105272242A ,2016-01-27

[6]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2CuSnO4 [P].

校凯 ;

唐莹 ;

段炼 .

中国专利 :CN106187157A ,2016-12-07

[7]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷BaBi2W6O22 [P].

郭欢欢 ;

方维双 ;

唐莹 .

中国专利 :CN104261830B ,2015-01-07

[8]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Cu3Bi2V2O11 [P].

方维双 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105669184A ,2016-06-15

[9]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷MgY2V2O9 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

邓酩 .

中国专利 :CN105669200A ,2016-06-15

[10]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷CuBi2V2O9 [P].

方维双 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105693232A ,2016-06-22

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