一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410554933.5

申请日：

2014-10-17

公开(公告)号：

CN104311030B

公开(公告)日：

2015-01-28

发明(设计)人：

方亮李威孙宜华

申请人：

申请人地址：

443002 湖北省宜昌市大学路8号

IPC主分类号：

H01B312

IPC分类号：

C04B3550 C04B35622

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

蒋悦

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01B 3/12 登记生效日:20221118 变更事项:专利权人变更前权利人:三峡大学变更后权利人:宜都市博通电子有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:443002 湖北省宜昌市大学路8号变更后权利人:443399 湖北省宜昌市宜都市姚家店镇望城路23号
2015-01-28	公开	公开
2015-11-11	授权	授权
2015-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101599905197 IPC(主分类):C04B 35/50 专利申请号:2014105549335 申请日:20141017

共 50 条

[1]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

方清 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28

[2]

一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104311020A ,2015-01-28

[3]

一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

徐军古 ;

巩美露 .

中国专利 :CN104311019B ,2015-01-28

[4]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBSiO4 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105948729A ,2016-09-21

[5]

一种锗基温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

校凯 ;

段炼 ;

卢锋奇 .

中国专利 :CN106187145A ,2016-12-07

[6]

一种钼酸盐温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷 [P].

李纯纯 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106986645A ,2017-07-28

[7]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiMgV5O14 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104761261A ,2015-07-08

[8]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷BaSiV2O8 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

王丹 .

中国专利 :CN104844207A ,2015-08-19

[9]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZn3WVO9 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104649667A ,2015-05-27

[10]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Cu3SmVO7 [P].

唐莹 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105693230A ,2016-06-22

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