陶瓷多层器件和用于制造陶瓷多层器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680010158.4

申请日：

2016-11-04

公开(公告)号：

CN107210102B

公开(公告)日：

2017-09-26

发明(设计)人：

U.沃兹尼亚克 T.法伊希廷格

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01C1148

IPC分类号：

H01C7102 H01C7108 H01C718 H01C710 H01C17065 H01C1728

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

卢江;杜荔南

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-26	公开	公开
2017-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01C 1/148 申请日:20161104
2019-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

陶瓷多层器件和用于制造陶瓷多层器件的方法 [P].

U.沃兹尼亚克 ;

T.法伊希廷格 .

中国专利 :CN110010320A ,2019-07-12

[2]

陶瓷多层器件和用于制造陶瓷多层器件的方法 [P].

M·霍夫施泰特 ;

A·霍夫里希特 ;

T·法伊希廷格 .

中国专利 :CN112292738B ,2021-01-29

[3]

陶瓷多层器件 [P].

T.法伊希廷格 ;

P.多塔 ;

H.席赫尔 .

中国专利 :CN102754171B ,2012-10-24

[4]

多层器件和用于制造多层器件的方法 [P].

T.皮尔斯廷格 .

中国专利 :CN110506312B ,2019-11-26

[5]

多层陶瓷异型器件及其制造方法 [P].

罗欣明 ;

孙雷 ;

王江 ;

吴崇隽 ;

周和平 .

中国专利 :CN1648100A ,2005-08-03

[6]

压电的多层器件和用于制造压电的多层器件的方法 [P].

丹尼斯·奥罗塞尔 ;

王永力 .

中国专利 :CN114127969A ,2022-03-01

[7]

用于制造压电多层器件的方法和压电多层器件 [P].

A.格拉朱诺夫 ;

O.德诺夫塞克 .

中国专利 :CN102714274B ,2012-10-03

[8]

制造多层器件的电接触的方法和具有电接触的多层器件 [P].

D.索米奇 ;

F.林纳 ;

M.加勒 ;

J.兰勒 ;

R.加布尔 ;

S.布伦纳 .

中国专利 :CN104126234A ,2014-10-29

[9]

玻璃陶瓷多层基板的制造方法及玻璃陶瓷多层基板 [P].

守屋要一 ;

杉本安隆 ;

近川修 .

中国专利 :CN1394113A ,2003-01-29

[10]

多层陶瓷电子部件和多层陶瓷基片以及多层陶瓷电子部件的制造方法 [P].

野宫正人 ;

酒井范夫 ;

西出充良 .

中国专利 :CN101371352B ,2009-02-18

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