半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110419334.9

申请日：

2011-12-15

公开(公告)号：

CN103165457A

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

罗军赵超钟汇才李俊峰陈大鹏

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345

代理人：

陈红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101569134548 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011104193349 申请日:20111215
2013-06-19	公开	公开
2017-05-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752381168 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011104193349 申请公布日:20130619

共 50 条

[1]

半导体器件制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103137486B ,2013-06-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

邓坚 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103972089A ,2014-08-06

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

邓坚 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103972090B ,2014-08-06

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

邓坚 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103972091B ,2014-08-06

[5]

半导体器件制造方法 [P].

罗军 ;

邓坚 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103377944B ,2013-10-30

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

刘实 .

中国专利 :CN106601820A ,2017-04-26

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

刘实 .

中国专利 :CN113410293A ,2021-09-17

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 .

中国专利 :CN102931085A ,2013-02-13

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

新宮昌生 ;

木下敦宽 ;

土屋义规 .

中国专利 :CN101136437A ,2008-03-05

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN119451206A ,2025-02-14

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