半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110391447.2

申请日：

2011-11-30

公开(公告)号：

CN103137486B

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

罗军赵超钟汇才李俊峰陈大鹏

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3#

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L21265

代理机构：

北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345

代理人：

陈红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101568322153 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103914472 申请日:20111130
2013-06-05	公开	公开
2016-08-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

邓坚 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103972089A ,2014-08-06

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

邓坚 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103972090B ,2014-08-06

[3]

半导体器件制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103165457A ,2013-06-19

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

邓坚 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103972091B ,2014-08-06

[5]

半导体器件制造方法 [P].

罗军 ;

邓坚 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103377944B ,2013-10-30

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN102479818B ,2012-05-30

[7]

半导体器件制造方法 [P].

罗军 ;

邓坚 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103377943A ,2013-10-30

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN102593173A ,2012-07-18

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN102593000B ,2012-07-18

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN102593174A ,2012-07-18

← 1 2 3 4 5 →