氧化物超导薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380054871.5

申请日：

2013-10-29

公开(公告)号：

CN104737243A

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

佐佐木宏和笠原甫中尾健吾松井正和

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01B1206

IPC分类号：

C01G100 C01G300 H01L3924

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

庞东成;褚瑶杨

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01B 12/06 申请日:20131029 授权公告日:20170728 终止日期:20191029
2015-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101635680121 IPC(主分类):H01B 12/06 专利申请号:2013800548715 申请日:20131029
2017-07-28	授权	授权
2015-06-24	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物超导薄膜材料、氧化物超导薄膜线材和氧化物超导薄膜的制造方法 [P].

元木贵则 ;

下山淳一 ;

本田元气 ;

永石龙起 .

中国专利 :CN110383398B ,2019-10-25

[2]

氧化物超导薄膜线材及其制造方法 [P].

山口高史 ;

永石龙起 ;

小西昌也 ;

大木康太郎 ;

本田元气 .

中国专利 :CN105940465A ,2016-09-14

[3]

氧化物超导薄膜及其制备方法 [P].

荒木猛司 ;

中尾公一 ;

平林泉 .

中国专利 :CN1860622A ,2006-11-08

[4]

氧化物超导薄膜及其制造方法 [P].

永石龙起 ;

本田元气 ;

山口岩 ;

真部高明 ;

日方威 ;

松井浩明 ;

近藤和吉 ;

山崎裕文 ;

熊谷俊弥 .

中国专利 :CN104380395A ,2015-02-25

[5]

制造氧化物超导薄膜的方法 [P].

母仓修司 ;

大松一也 .

中国专利 :CN1649794A ,2005-08-03

[6]

制造氧化物超导薄膜的方法 [P].

本田元气 ;

种子田贤宏 ;

加藤武志 .

中国专利 :CN102132359B ,2011-07-20

[7]

氧化物超导体、取向氧化物薄膜、以及用于制造氧化物超导体的方法 [P].

荒木猛司 ;

林真理子 ;

山田紘 ;

福家浩之 .

中国专利 :CN103325936A ,2013-09-25

[8]

氧化膜超导薄膜 [P].

中尾健吾 ;

佐佐木宏和 ;

笠原甫 ;

松井正和 .

中国专利 :CN103547533A ,2014-01-29

[9]

复合氧化物超导薄膜或线材及其制造方法 [P].

田中三郎 ;

糸崎秀夫 ;

桧垣次郎 ;

矢津修示 ;

上代哲司 .

中国专利 :CN1035395A ,1989-09-06

[10]

氧化物超导体用带基材的研磨方法、氧化物超导体以及氧化物超导体用基材 [P].

堀本真树 ;

永峯拓也 ;

渡边武洋 ;

室川富美 ;

堀江祐二 ;

熊坂登行 ;

细井雅弘 .

中国专利 :CN101496118A ,2009-07-29

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