氧化膜超导薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280023437.6

申请日：

2012-05-23

公开(公告)号：

CN103547533A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

中尾健吾佐佐木宏和笠原甫松井正和

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C01G100

IPC分类号：

C01G300 C30B2922 H01B1206 H01B1300

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

丁香兰;庞东成

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-29	公开	公开
2015-10-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722807963 IPC(主分类):H01B 12/06 专利申请号:2012800234376 申请公布日:20140129
2014-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581892460 IPC(主分类):C01G 1/00 专利申请号:2012800234376 申请日:20120523

共 50 条

[1]

氧化物超导薄膜 [P].

佐佐木宏和 ;

笠原甫 ;

中尾健吾 ;

松井正和 .

中国专利 :CN104737243A ,2015-06-24

[2]

氧化物超导薄膜材料、氧化物超导薄膜线材和氧化物超导薄膜的制造方法 [P].

元木贵则 ;

下山淳一 ;

本田元气 ;

永石龙起 .

中国专利 :CN110383398B ,2019-10-25

[3]

超导薄膜及超导薄膜的制造方法 [P].

早濑裕子 ;

奥野良和 ;

福岛弘之 ;

小岛映二 ;

坂本久树 .

中国专利 :CN103069507A ,2013-04-24

[4]

超导薄膜用基材、超导薄膜以及超导薄膜用基材的制造方法 [P].

樋口优 ;

坂本久树 ;

长洲义则 .

中国专利 :CN103069508A ,2013-04-24

[5]

超导薄膜材料的制造方法，超导装置和超导薄膜材料 [P].

母仓修司 ;

大松一也 ;

上山宗谱 ;

长谷川胜哉 .

中国专利 :CN101385096A ,2009-03-11

[6]

氧化物超导薄膜线材及其制造方法 [P].

山口高史 ;

永石龙起 ;

小西昌也 ;

大木康太郎 ;

本田元气 .

中国专利 :CN105940465A ,2016-09-14

[7]

超导薄膜材料以及超导薄膜材料的制造方法 [P].

母仓修司 ;

大松一也 .

中国专利 :CN101449340A ,2009-06-03

[8]

铋系复合氧化物超导薄膜的成膜方法 [P].

桧垣贤次郎 ;

原田敬三 ;

藤森直治 ;

糸崎秀夫 ;

矢津修示 .

中国专利 :CN1018311B ,1990-04-11

[9]

氧化物超导薄膜及其制备方法 [P].

荒木猛司 ;

中尾公一 ;

平林泉 .

中国专利 :CN1860622A ,2006-11-08

[10]

氧化物超导薄膜及其制造方法 [P].

永石龙起 ;

本田元气 ;

山口岩 ;

真部高明 ;

日方威 ;

松井浩明 ;

近藤和吉 ;

山崎裕文 ;

熊谷俊弥 .

中国专利 :CN104380395A ,2015-02-25

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