一种二维纳米片层过渡金属硫化物双向开关器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610325077.5

申请日：

2016-05-17

公开(公告)号：

CN105845739A

公开(公告)日：

2016-08-10

发明(设计)人：

张楷亮方明旭王芳冯玉林唐登轩李悦

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区

IPC主分类号：

H01L298605

IPC分类号：

H01L2134 B82Y1000

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

侯力

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101677914080 IPC(主分类):H01L 29/8605 专利申请号:2016103250775 申请日:20160517
2019-09-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/8605 申请公布日:20160810
2016-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备过渡金属硫化物二维纳米片层分散液的方法 [P].

袭锴 ;

邓国庆 ;

胡栋华 ;

廖峭波 ;

张秋红 ;

贾叙东 .

中国专利 :CN105293580A ,2016-02-03

[2]

一种二维过渡金属硫化物纳米片及其制备方法 [P].

刘碧录 ;

张云豪 ;

王经纬 ;

陈雨沫 ;

刘家荣 .

中国专利 :CN119615106A ,2025-03-14

[3]

一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法 [P].

李洪森 ;

赵忠晨 ;

胡正强 ;

郭向欣 .

中国专利 :CN110707320B ,2020-01-17

[4]

一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法 [P].

邹贵付 ;

朱俊桐 ;

蒋怡宁 ;

戴晓 ;

赵杰 ;

易庆华 .

中国专利 :CN108455673A ,2018-08-28

[5]

一种二维层板状过渡金属硫化物材料的制备方法 [P].

范同祥 .

中国专利 :CN113800568A ,2021-12-17

[6]

少层过渡金属硫化物/石墨烯复合二维材料及制备与应用 [P].

段国韬 ;

翁朝仓 .

中国专利 :CN113307235A ,2021-08-27

[7]

一种二维过渡金属硫化物及其制备方法 [P].

黄亮 ;

裴渊韬 ;

张海军 ;

韩磊 ;

张少伟 .

中国专利 :CN108191431B ,2018-06-22

[8]

一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法 [P].

姜栋 ;

王琴琴 ;

伏彦龙 ;

高晓明 ;

赵旭 ;

胡明 ;

王德生 ;

杨军 ;

刘志鲁 ;

郭龙帮 ;

孙嘉奕 ;

翁立军 .

中国专利 :CN118028741A ,2024-05-14

[9]

一种二维纳米片层MoS2垂直结构阻变器件 [P].

张楷亮 ;

张志超 ;

王芳 ;

冯玉林 ;

方明旭 ;

袁育杰 ;

赵金石 .

中国专利 :CN105810817A ,2016-07-27

[10]

一种逐层减薄少层二维过渡金属硫化物的方法 [P].

赵海燕 ;

裴家云 .

中国专利 :CN113471079A ,2021-10-01

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