一种二维过渡金属硫化物纳米片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411577369.9

申请日：

2024-11-06

公开(公告)号：

CN119615106A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

刘碧录张云豪王经纬陈雨沫刘家荣

申请人：

清华大学深圳国际研究生院

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区西丽大学城清华校区

IPC主分类号：

C23C16/30

IPC分类号：

C08J3/28 C08L33/20

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

马俊

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	公开	公开
2025-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/30申请日:20241106

共 50 条

[1]

一种二维过渡金属硫化物及其制备方法和应用 [P].

刘碧录 ;

吴沁柯 ;

农慧雨 ;

王经纬 ;

成会明 .

中国专利 :CN114959636B ,2024-04-09

[2]

一种二维过渡金属硫化物及其制备方法 [P].

黄亮 ;

裴渊韬 ;

张海军 ;

韩磊 ;

张少伟 .

中国专利 :CN108191431B ,2018-06-22

[3]

一种可降解二维过渡金属硫化物复合纳米材料及其制备方法 [P].

王世革 ;

吴陈瑶 .

中国专利 :CN109260471A ,2019-01-25

[4]

一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法 [P].

李洪森 ;

赵忠晨 ;

胡正强 ;

郭向欣 .

中国专利 :CN110707320B ,2020-01-17

[5]

一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法 [P].

时玉萌 ;

李贺楠 ;

姚慧珍 ;

陈龙龙 .

中国专利 :CN108083339A ,2018-05-29

[6]

一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法 [P].

邹贵付 ;

朱俊桐 ;

蒋怡宁 ;

戴晓 ;

赵杰 ;

易庆华 .

中国专利 :CN108455673A ,2018-08-28

[7]

一种二维过渡金属硫化物材料柔性传感器及其制备方法 [P].

秦梓喻 ;

尹学琼 ;

李萌婷 .

中国专利 :CN113418552B ,2021-09-21

[8]

一种二维过渡金属硫化物的可控相转变方法 [P].

欧阳方平 ;

高宏军 ;

周喻 ;

熊翔 .

中国专利 :CN111285400B ,2020-06-16

[9]

一种定向转移CVD法制备二维过渡金属硫化物的方法 [P].

坚佳莹 ;

左康年 ;

岳皎洁 ;

董芃凡 ;

骆磊 ;

常洪龙 ;

坚增运 .

中国专利 :CN110676218A ,2020-01-10

[10]

一种制备过渡金属硫化物二维纳米片层分散液的方法 [P].

袭锴 ;

邓国庆 ;

胡栋华 ;

廖峭波 ;

张秋红 ;

贾叙东 .

中国专利 :CN105293580A ,2016-02-03

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