一种可降解二维过渡金属硫化物复合纳米材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811130513.9
申请日
2018-09-27
公开(公告)号
CN109260471A
公开(公告)日
2019-01-25
发明(设计)人
王世革 吴陈瑶
申请人
申请人地址
200093 上海市杨浦区军工路516号
IPC主分类号
A61K4100
IPC分类号
A61K4752 A61K4758 A61K4769 A61P3500 C01G4906 C01G4100 C01G3906
代理机构
上海申汇专利代理有限公司 31001
代理人
王婧
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
一种二维过渡金属硫化物纳米片及其制备方法 [P]. 
刘碧录 ;
张云豪 ;
王经纬 ;
陈雨沫 ;
刘家荣 .
中国专利 :CN119615106A ,2025-03-14
[2]
一种二维过渡金属硫化物及其制备方法 [P]. 
黄亮 ;
裴渊韬 ;
张海军 ;
韩磊 ;
张少伟 .
中国专利 :CN108191431B ,2018-06-22
[3]
一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法 [P]. 
时玉萌 ;
李贺楠 ;
姚慧珍 ;
陈龙龙 .
中国专利 :CN108083339A ,2018-05-29
[4]
一种二维过渡金属硫化物及其制备方法和应用 [P]. 
刘碧录 ;
吴沁柯 ;
农慧雨 ;
王经纬 ;
成会明 .
中国专利 :CN114959636B ,2024-04-09
[5]
一种二维过渡金属硫化物材料柔性传感器及其制备方法 [P]. 
秦梓喻 ;
尹学琼 ;
李萌婷 .
中国专利 :CN113418552B ,2021-09-21
[6]
少层过渡金属硫化物/石墨烯复合二维材料及制备与应用 [P]. 
段国韬 ;
翁朝仓 .
中国专利 :CN113307235A ,2021-08-27
[7]
一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法 [P]. 
邹贵付 ;
朱俊桐 ;
蒋怡宁 ;
戴晓 ;
赵杰 ;
易庆华 .
中国专利 :CN108455673A ,2018-08-28
[8]
一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法 [P]. 
李洪森 ;
赵忠晨 ;
胡正强 ;
郭向欣 .
中国专利 :CN110707320B ,2020-01-17
[9]
一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法 [P]. 
姜栋 ;
王琴琴 ;
伏彦龙 ;
高晓明 ;
赵旭 ;
胡明 ;
王德生 ;
杨军 ;
刘志鲁 ;
郭龙帮 ;
孙嘉奕 ;
翁立军 .
中国专利 :CN118028741A ,2024-05-14
[10]
一种二维过渡金属硫化物的可控相转变方法 [P]. 
欧阳方平 ;
高宏军 ;
周喻 ;
熊翔 .
中国专利 :CN111285400B ,2020-06-16