一种定向转移CVD法制备二维过渡金属硫化物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910799013.2

申请日：

2019-08-28

公开(公告)号：

CN110676218A

公开(公告)日：

2020-01-10

发明(设计)人：

坚佳莹左康年岳皎洁董芃凡骆磊常洪龙坚增运

申请人：

申请人地址：

710032 陕西省西安市未央区学府中路2号

IPC主分类号：

H01L2178

IPC分类号：

H01L31032 H01L3118 H01L3300 H01L3326

代理机构：

西安新思维专利商标事务所有限公司 61114

代理人：

李凤鸣

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/78 申请公布日:20200110
2020-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/78 申请日:20190828
2020-01-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维过渡金属硫化物及其制备方法 [P].

黄亮 ;

裴渊韬 ;

张海军 ;

韩磊 ;

张少伟 .

中国专利 :CN108191431B ,2018-06-22

[2]

一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法 [P].

时玉萌 ;

李贺楠 ;

姚慧珍 ;

陈龙龙 .

中国专利 :CN108083339A ,2018-05-29

[3]

一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法 [P].

邹贵付 ;

朱俊桐 ;

蒋怡宁 ;

戴晓 ;

赵杰 ;

易庆华 .

中国专利 :CN108455673A ,2018-08-28

[4]

一种二维过渡金属硫化物及其制备方法和应用 [P].

刘碧录 ;

吴沁柯 ;

农慧雨 ;

王经纬 ;

成会明 .

中国专利 :CN114959636B ,2024-04-09

[5]

一种二维过渡金属硫化物纳米片及其制备方法 [P].

刘碧录 ;

张云豪 ;

王经纬 ;

陈雨沫 ;

刘家荣 .

中国专利 :CN119615106A ,2025-03-14

[6]

一种二维过渡金属硫化物的可控相转变方法 [P].

欧阳方平 ;

高宏军 ;

周喻 ;

熊翔 .

中国专利 :CN111285400B ,2020-06-16

[7]

一种制备二维层状过渡金属硫化物的制备方法 [P].

何青 ;

赵征志 ;

邵雅斌 ;

章志涛 ;

章冬雯 ;

蒋浩 ;

符兴玉 ;

李雅 .

中国专利 :CN111333040A ,2020-06-26

[8]

一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构 [P].

杨国锋 ;

曹金涛 ;

汪金 ;

孙锐 ;

陆亚男 ;

钱维莹 ;

陈国庆 .

中国专利 :CN107275422A ,2017-10-20

[9]

一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法 [P].

姜栋 ;

王琴琴 ;

伏彦龙 ;

高晓明 ;

赵旭 ;

胡明 ;

王德生 ;

杨军 ;

刘志鲁 ;

郭龙帮 ;

孙嘉奕 ;

翁立军 .

中国专利 :CN118028741A ,2024-05-14

[10]

一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法 [P].

李洪森 ;

赵忠晨 ;

胡正强 ;

郭向欣 .

中国专利 :CN110707320B ,2020-01-17

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