半导体测试结构、制造方法及方块电阻测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811086298.7

申请日：

2018-09-18

公开(公告)号：

CN109309079B

公开(公告)日：

2019-02-05

发明(设计)人：

蒲奎杜文芳曾军穆罕默德·恩·达维希苏世宗

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市天府新区中国（四川）自由贸易试验区成都科学城天府菁蓉中心A区10号5层

IPC主分类号：

H01L23544

IPC分类号：

H01L2166

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

王文红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-05	公开	公开
2020-05-05	授权	授权
2019-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20180918

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法、方块电阻的测量方法 [P].

周宁宁 ;

陈立业 ;

张德培 .

中国专利 :CN117116915B ,2024-01-19

[2]

方块电阻测量方法以及方块电阻测量装置 [P].

韦敏侠 ;

谢佳佳 .

中国专利 :CN102621390A ,2012-08-01

[3]

半导体结构的制备方法、测量方法及半导体结构 [P].

王方方 .

中国专利 :CN115274835B ,2024-05-21

[4]

电流测量方法、半导体测试板卡及半导体测试设备 [P].

陈林 ;

王林旺 ;

刘恒甫 ;

何敏 ;

刘钟源 .

中国专利 :CN119804956A ,2025-04-11

[5]

半导体结构及测量方法 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN117542837A ,2024-02-09

[6]

半导体结构及测量方法 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN117542838A ,2024-02-09

[7]

半导体结构的测量方法及测量系统 [P].

李宗翰 ;

刘志拯 .

中国专利 :CN115588622A ,2023-01-10

[8]

半导体结构的测量方法及测量系统 [P].

李宗翰 ;

刘志拯 .

中国专利 :CN115588622B ,2025-06-20

[9]

半导体方块电阻的测试方法及测试电路 [P].

王耀华 ;

金锐 ;

赵哿 ;

和峰 ;

刘钺杨 ;

曾军 ;

蒲奎 ;

杜文芳 ;

潘艳 ;

吴军民 .

中国专利 :CN109444551B ,2019-03-08

[10]

电阻测量方法、设备、半导体器件测试方法及存储介质 [P].

丁知民 ;

马庆容 ;

钱慧 .

中国专利 :CN119001238A ,2024-11-22

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