电阻测量方法、设备、半导体器件测试方法及存储介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310581748.4

申请日：

2023-05-22

公开(公告)号：

CN119001238A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

丁知民马庆容钱慧

申请人：

上海江波龙微电子技术有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区业盛路188号A-522室

IPC主分类号：

G01R27/08

IPC分类号：

G01R31/26

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

周心志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 27/08申请日:20230522
2025-12-19	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):G01R 27/08变更事项:申请人变更前:上海江波龙微电子技术有限公司变更后:上海元铭芯微电子技术有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区业盛路188号A-522室变更后:201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区业盛路188号A-522室
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的测量方法、装置及存储介质 [P].

郑文凯 ;

陈金星 ;

陈广甸 ;

汪严莉 .

中国专利 :CN114295080A ,2022-04-08

[2]

半导体器件的测量方法、装置及存储介质 [P].

郑文凯 ;

陈金星 ;

陈广甸 ;

汪严莉 .

中国专利 :CN114322865A ,2022-04-12

[3]

半导体器件的信号测量方法、系统、设备及存储介质 [P].

范天奇 .

中国专利 :CN119492806A ,2025-02-21

[4]

电阻测量方法、装置、设备及存储介质 [P].

全昭焕 .

中国专利 :CN114236243A ,2022-03-25

[5]

半导体器件特征尺寸的测量方法及测量设备 [P].

龚成波 .

中国专利 :CN110137354B ,2019-08-16

[6]

半导体器件测量方法 [P].

李弘祥 .

中国专利 :CN113571437A ,2021-10-29

[7]

电流测量方法、半导体测试板卡及半导体测试设备 [P].

陈林 ;

王林旺 ;

刘恒甫 ;

何敏 ;

刘钟源 .

中国专利 :CN119804956A ,2025-04-11

[8]

半导体测试结构、制造方法及方块电阻测量方法 [P].

蒲奎 ;

杜文芳 ;

曾军 ;

穆罕默德·恩·达维希 ;

苏世宗 .

中国专利 :CN109309079B ,2019-02-05

[9]

半导体器件测试方法、装置、设备、存储介质 [P].

吴哲佳 ;

张锦涛 .

中国专利 :CN118294773A ,2024-07-05

[10]

半导体器件测量方法及装置 [P].

李寒骁 ;

范光龙 ;

陈金星 .

中国专利 :CN113725113A ,2021-11-30

← 1 2 3 4 5 →