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一种溶液法制备钨掺杂氧化锡透明导电薄膜的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910001788.0
申请日
:
2019-01-02
公开(公告)号
:
CN109722653B
公开(公告)日
:
2019-05-07
发明(设计)人
:
宁洪龙
张观广
姚日晖
张旭
袁炜健
刘贤哲
梁志豪
梁宏富
周尚雄
彭俊彪
申请人
:
申请人地址
:
510640 广东省广州市天河区五山路381号
IPC主分类号
:
C23C1812
IPC分类号
:
H01B514
代理机构
:
广州市华学知识产权代理有限公司 44245
代理人
:
罗啸秋
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-05-31
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 18/12 申请日:20190102
2019-05-07
公开
公开
2020-10-27
授权
授权
共 50 条
[1]
一种掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法
[P].
李建生
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李建生
;
赵燕禹
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赵燕禹
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刘炳光
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刘炳光
;
王少杰
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王少杰
;
韩秋坡
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韩秋坡
;
刘晓敏
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刘晓敏
;
滕得宝
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滕得宝
;
李雪
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李雪
;
王璐瑶
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王璐瑶
.
中国专利
:CN106158997A
,2016-11-23
[2]
一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法
[P].
张玉勤
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张玉勤
;
蒋业华
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蒋业华
;
周荣
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周荣
.
中国专利
:CN101260512A
,2008-09-10
[3]
铜掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法
[P].
毛启明
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毛启明
;
姜来新
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姜来新
;
尹桂林
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尹桂林
;
何丹农
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何丹农
.
中国专利
:CN103137717A
,2013-06-05
[4]
一种锑掺杂的氧化锡透明导电薄膜的制备方法
[P].
郭禧斌
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郭禧斌
.
中国专利
:CN107354440A
,2017-11-17
[5]
一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法
[P].
宁洪龙
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宁洪龙
;
刘贤哲
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刘贤哲
;
姚日晖
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姚日晖
;
张旭
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张旭
;
袁炜健
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袁炜健
;
张观广
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张观广
;
梁志豪
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梁志豪
;
梁宏富
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梁宏富
;
张啸尘
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张啸尘
;
彭俊彪
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彭俊彪
.
中国专利
:CN109727702A
,2019-05-07
[6]
一种铂掺杂氧化锡透明导电薄膜、制备方法及应用
[P].
李霞
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机构:
电子科技大学长三角研究院(衢州)
电子科技大学长三角研究院(衢州)
李霞
;
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机构:
刘洋
;
胡天贵
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机构:
电子科技大学长三角研究院(衢州)
电子科技大学长三角研究院(衢州)
胡天贵
.
中国专利
:CN118613072A
,2024-09-06
[7]
一种石墨烯和磷共掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法
[P].
王少杰
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王少杰
;
刘炳光
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刘炳光
;
李建生
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李建生
;
张发荣
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张发荣
.
中国专利
:CN109524171A
,2019-03-26
[8]
一种掺杂氧化锡复合导电薄膜的制备方法
[P].
朱凯
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朱凯
;
何寿成
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何寿成
;
侯海军
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侯海军
;
戴海璐
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戴海璐
;
吴其胜
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吴其胜
.
中国专利
:CN108615585A
,2018-10-02
[9]
一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法
[P].
苏青峰
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机构:
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
苏青峰
;
宋姜兴子
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机构:
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
宋姜兴子
;
田敬坤
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机构:
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
田敬坤
;
王传博
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理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
王传博
;
奚明
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机构:
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
奚明
.
中国专利
:CN117721446A
,2024-03-19
[10]
一种锌掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法和用途
[P].
孙小卫
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孙小卫
;
赵俊亮
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赵俊亮
.
中国专利
:CN111705306A
,2020-09-25
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