一种锑掺杂的氧化锡透明导电薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710535442.X

申请日：

2017-06-23

公开(公告)号：

CN107354440A

公开(公告)日：

2017-11-17

发明(设计)人：

郭禧斌

申请人：

申请人地址：

450064 河南省郑州市二七区马寨工业园学院路1号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-17	公开	公开
2021-06-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20170623 授权公告日:20190702 终止日期:20200623
2019-07-02	授权	授权
2017-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20170623

共 50 条

[1]

一种掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

李建生 ;

赵燕禹 ;

刘炳光 ;

王少杰 ;

韩秋坡 ;

刘晓敏 ;

滕得宝 ;

李雪 ;

王璐瑶 .

中国专利 :CN106158997A ,2016-11-23

[2]

一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

张玉勤 ;

蒋业华 ;

周荣 .

中国专利 :CN101260512A ,2008-09-10

[3]

铜掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

毛启明 ;

姜来新 ;

尹桂林 ;

何丹农 .

中国专利 :CN103137717A ,2013-06-05

[4]

一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

宁洪龙 ;

刘贤哲 ;

姚日晖 ;

张旭 ;

袁炜健 ;

张观广 ;

梁志豪 ;

梁宏富 ;

张啸尘 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN109727702A ,2019-05-07

[5]

一种溶液法制备钨掺杂氧化锡透明导电薄膜的方法 [P].

宁洪龙 ;

张观广 ;

姚日晖 ;

张旭 ;

袁炜健 ;

刘贤哲 ;

梁志豪 ;

梁宏富 ;

周尚雄 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN109722653B ,2019-05-07

[6]

一种锑掺杂氧化锡纳米孔透明导电膜的制备方法 [P].

邵绍峰 ;

刘海洋 ;

刘峰 ;

贾艳刚 .

中国专利 :CN102815872A ,2012-12-12

[7]

一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

苏青峰 ;

宋姜兴子 ;

田敬坤 ;

王传博 ;

奚明 .

中国专利 :CN117721446A ,2024-03-19

[8]

一种铂掺杂氧化锡透明导电薄膜、制备方法及应用 [P].

李霞 ;

刘洋 ;

胡天贵 .

中国专利 :CN118613072A ,2024-09-06

[9]

锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法 [P].

张玉勤 ;

蒋业华 ;

周荣 .

中国专利 :CN101235480A ,2008-08-06

[10]

超声雾化制备氟掺杂氧化锡透明导电薄膜的方法及其应用 [P].

周云 ;

余庚 .

中国专利 :CN119132737A ,2024-12-13

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