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具有多个沟道层的非易失性存储器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911017190.7
申请日：
2019-10-24
公开(公告)号：
CN111384059A
公开(公告)日：
2020-07-07
发明(设计)人：
刘香根 宋姝璃 李世昊 李在吉
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L2711563
IPC分类号：
H01L2711582 H01L2711568
代理机构：
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
代理人：
许伟群;周晓雨
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-07-07 公开 公开
2020-07-31 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11563 申请日:20191024
共 50 条
[1]
具有阻变存储层的非易失性存储器件 [P]. 
韩在贤 ;
刘香根 ;
李世昊 .
韩国专利 :CN112466903B ,2024-06-18
[2]
具有阻变存储层的非易失性存储器件 [P]. 
韩在贤 ;
刘香根 ;
李世昊 .
中国专利 :CN112466903A ,2021-03-09
[3]
具有铁电层的非易失性存储器件 [P]. 
韩在贤 ;
李世昊 ;
刘香根 ;
李在吉 .
韩国专利 :CN113035876B ,2024-10-18
[4]
具有铁电层的非易失性存储器件 [P]. 
韩在贤 ;
李世昊 ;
刘香根 ;
李在吉 .
中国专利 :CN113035876A ,2021-06-25
[5]
具有铁电层的非易失性存储器件 [P]. 
韩在贤 ;
李在吉 ;
刘香根 ;
李世昊 .
中国专利 :CN113035875A ,2021-06-25
[6]
具有阻变存储层的非易失性存储器件 [P]. 
韩在贤 ;
刘香根 ;
李世昊 .
中国专利 :CN112466902A ,2021-03-09
[7]
具有阻变存储层的非易失性存储器件 [P]. 
韩在贤 ;
刘香根 ;
李世昊 .
韩国专利 :CN112466902B ,2024-07-16
[8]
具有铁电层的非易失性存储器件 [P]. 
韩在贤 ;
李在吉 ;
刘香根 ;
李世昊 .
韩国专利 :CN113035875B ,2025-12-05
[9]
非易失性存储器件 [P]. 
朴仙美 ;
朴丙洙 ;
吴尚炫 .
中国专利 :CN102769018B ,2012-11-07
[10]
非易失性存储器件以及操作非易失性存储器件的方法 [P]. 
李相宪 .
中国专利 :CN109256161B ,2019-01-22
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