具有铁电层的非易失性存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010652096.5

申请日：

2020-07-08

公开(公告)号：

CN113035876B

公开(公告)日：

2024-10-18

发明(设计)人：

韩在贤李世昊刘香根李在吉

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B53/30

IPC分类号：

H10B53/20 H10B51/20 H10B51/30

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

王建国;许伟群

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-18	授权	授权

共 50 条

[1]

具有铁电层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

李世昊 ;

刘香根 ;

李在吉 .

中国专利 :CN113035876A ,2021-06-25

[2]

具有铁电层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

李在吉 ;

刘香根 ;

李世昊 .

中国专利 :CN113035875A ,2021-06-25

[3]

具有铁电层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

李在吉 ;

刘香根 ;

李世昊 .

韩国专利 :CN113035875B ,2025-12-05

[4]

具有阻变存储层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

刘香根 ;

李世昊 .

韩国专利 :CN112466903B ,2024-06-18

[5]

具有多个沟道层的非易失性存储器件 [P].

刘香根 ;

宋姝璃 ;

李世昊 ;

李在吉 .

中国专利 :CN111384059A ,2020-07-07

[6]

具有阻变存储层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

刘香根 ;

李世昊 .

中国专利 :CN112466903A ,2021-03-09

[7]

具有阻变存储层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

刘香根 ;

李世昊 .

中国专利 :CN112466902A ,2021-03-09

[8]

具有阻变存储层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

刘香根 ;

李世昊 .

韩国专利 :CN112466902B ,2024-07-16

[9]

具有电荷存储层的非易失性存储器件的编程方法 [P].

金基喆 ;

高光旭 ;

裵金钟 ;

金相秀 ;

林宝丽 .

中国专利 :CN100429725C ,2005-05-25

[10]

具有电荷俘获层的非易失性存储器件 [P].

朴祥珍 ;

车映官 ;

朴永洙 ;

李正贤 ;

崔石镐 .

中国专利 :CN101017853A ,2007-08-15

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