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大规模单片集成的硅基III-V族电泵激光器及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010116917.3
申请日
:
2020-02-25
公开(公告)号
:
CN111313237B
公开(公告)日
:
2020-06-19
发明(设计)人
:
李亚节
周旭亮
杨文宇
王梦琦
于红艳
潘教青
申请人
:
申请人地址
:
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
IPC主分类号
:
H01S522
IPC分类号
:
H01S502
H01S540
H01S5026
代理机构
:
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
:
吴梦圆
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-07-14
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/22 申请日:20200225
2021-03-05
授权
授权
2020-06-19
公开
公开
共 50 条
[1]
一种单片集成硅基III-V族多波长激光器及制备方法
[P].
李亚节
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机构:
湖北理工学院
湖北理工学院
李亚节
;
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章磊
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邓连生
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瞿珊珊
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康顺
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机构:
王硕
;
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机构:
刁亚芹
.
中国专利
:CN117833027A
,2024-04-05
[2]
一种单片集成硅基III-V族多波长激光器及制备方法
[P].
李亚节
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机构:
湖北理工学院
湖北理工学院
李亚节
;
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机构:
章磊
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机构:
邓连生
;
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机构:
瞿珊珊
;
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机构:
康顺
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机构:
王硕
;
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机构:
刁亚芹
.
中国专利
:CN117833027B
,2024-07-26
[3]
电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法
[P].
李亚节
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李亚节
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周旭亮
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周旭亮
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王梦琦
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王梦琦
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于红艳
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于红艳
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杨文宇
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杨文宇
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潘教青
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潘教青
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王圩
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王圩
.
中国专利
:CN109638648B
,2019-04-16
[4]
一种硅基III-V族纳米脊波导激光器及制备方法
[P].
李亚节
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湖北理工学院
湖北理工学院
李亚节
;
冯胜
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湖北理工学院
湖北理工学院
冯胜
;
朱肖丽
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湖北理工学院
湖北理工学院
朱肖丽
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王硕
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邓连生
;
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机构:
章磊
.
中国专利
:CN120511559A
,2025-08-19
[5]
电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法
[P].
李亚节
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李亚节
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周旭亮
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周旭亮
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王梦琦
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王梦琦
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王鹏飞
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王鹏飞
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孟芳媛
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孟芳媛
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李召松
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李召松
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于红艳
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于红艳
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潘教青
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潘教青
.
中国专利
:CN108736314A
,2018-11-02
[6]
基于PCM的硅基III-V族混合集成激光器
[P].
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郭宇耀
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鄂思宇
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上海交通大学
上海交通大学
鄂思宇
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周林杰
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陆梁军
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李雨
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陈建平
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刘娇
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机构:
金敏慧
.
中国专利
:CN118367443A
,2024-07-19
[7]
硅基电泵浦激光器及其制备方法
[P].
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机构:
刘智
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黄秦兴
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中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
黄秦兴
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郑军
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成步文
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左玉华
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门涛
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中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
门涛
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机构:
张广泽
.
中国专利
:CN119401205A
,2025-02-07
[8]
硅基单片集成激光器
[P].
仇超
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仇超
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龚谦
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龚谦
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高腾
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高腾
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盛振
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盛振
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甘甫烷
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甘甫烷
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赵颖璇
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李军
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李军
.
中国专利
:CN206931836U
,2018-01-26
[9]
电泵激光器及其制备方法
[P].
杨正霞
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杨正霞
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周旭亮
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周旭亮
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王梦琦
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王梦琦
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杨文宇
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杨文宇
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潘教青
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潘教青
.
中国专利
:CN113644549A
,2021-11-12
[10]
硅基单片集成激光器及其制作方法
[P].
仇超
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仇超
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龚谦
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武爱民
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高腾
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盛振
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中国专利
:CN106953234A
,2017-07-14
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