一种单片集成硅基III-V族多波长激光器及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410062174.4

申请日：

2024-01-16

公开(公告)号：

CN117833027B

公开(公告)日：

2024-07-26

发明(设计)人：

李亚节章磊邓连生瞿珊珊康顺王硕刁亚芹

申请人：

湖北理工学院

申请人地址：

435003 湖北省黄石市桂林北路16号

IPC主分类号：

H01S5/40

IPC分类号：

H01S5/343 H01S5/20

代理机构：

北京冠和权律师事务所 11399

代理人：

田春龙

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省黄石市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-26	授权	授权
2024-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/40申请日:20240116
2024-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种单片集成硅基III-V族多波长激光器及制备方法 [P].

李亚节 ;

章磊 ;

邓连生 ;

瞿珊珊 ;

康顺 ;

王硕 ;

刁亚芹 .

中国专利 :CN117833027A ,2024-04-05

[2]

一种硅基III-V族纳米脊波导激光器及制备方法 [P].

李亚节 ;

冯胜 ;

朱肖丽 ;

王硕 ;

邓连生 ;

章磊 .

中国专利 :CN120511559A ,2025-08-19

[3]

大规模单片集成的硅基III-V族电泵激光器及其制备方法 [P].

李亚节 ;

周旭亮 ;

杨文宇 ;

王梦琦 ;

于红艳 ;

潘教青 .

中国专利 :CN111313237B ,2020-06-19

[4]

一种硅基III-V族亚微米线光栅、制备方法及应用 [P].

李亚节 ;

章磊 ;

蔡笑风 ;

汤立刚 ;

徐延 ;

余盛海 .

中国专利 :CN117970564A ,2024-05-03

[5]

多波长硅基III-V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法 [P].

郑婉华 ;

孟然哲 ;

王海玲 ;

王明金 .

中国专利 :CN110289553A ,2019-09-27

[6]

多波长硅基III-V族混合集成激光器阵列单元及制作方法 [P].

郑婉华 ;

孟然哲 ;

王海玲 .

中国专利 :CN112290385A ,2021-01-29

[7]

电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法 [P].

李亚节 ;

周旭亮 ;

王梦琦 ;

王鹏飞 ;

孟芳媛 ;

李召松 ;

于红艳 ;

潘教青 .

中国专利 :CN108736314A ,2018-11-02

[8]

电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法 [P].

李亚节 ;

周旭亮 ;

王梦琦 ;

于红艳 ;

杨文宇 ;

潘教青 ;

王圩 .

中国专利 :CN109638648B ,2019-04-16

[9]

硅基单片集成激光器 [P].

仇超 ;

龚谦 ;

武爱民 ;

高腾 ;

盛振 ;

甘甫烷 ;

赵颖璇 ;

李军 .

中国专利 :CN206931836U ,2018-01-26

[10]

一种单纵模硅基III-V族亚微米线激光器及其制备方法 [P].

李亚节 ;

章磊 ;

蔡笑风 ;

汤立刚 ;

徐延 ;

余盛海 .

中国专利 :CN117977378A ,2024-05-03

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