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一种单纵模硅基III-V族亚微米线激光器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410061686.9
申请日：
2024-01-16
公开(公告)号：
CN117977378A
公开(公告)日：
2024-05-03
发明(设计)人：
李亚节 章磊 蔡笑风 汤立刚 徐延 余盛海
申请人：
湖北理工学院 黄石瑞视光电技术股份有限公司
申请人地址：
430000 湖北省黄石市桂林北路16号
IPC主分类号：
H01S5/34
IPC分类号：
H01S5/065
代理机构：
武汉派富知识产权代理事务所(普通合伙) 42305
代理人：
赵丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
湖北省 黄石市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-05-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/34申请日:20240116
2024-05-03 公开 公开
共 50 条
[1]
一种硅基III-V族亚微米线光栅、制备方法及应用 [P]. 
李亚节 ;
章磊 ;
蔡笑风 ;
汤立刚 ;
徐延 ;
余盛海 .
中国专利 :CN117970564A ,2024-05-03
[2]
一种单片集成硅基III-V族多波长激光器及制备方法 [P]. 
李亚节 ;
章磊 ;
邓连生 ;
瞿珊珊 ;
康顺 ;
王硕 ;
刁亚芹 .
中国专利 :CN117833027A ,2024-04-05
[3]
一种单片集成硅基III-V族多波长激光器及制备方法 [P]. 
李亚节 ;
章磊 ;
邓连生 ;
瞿珊珊 ;
康顺 ;
王硕 ;
刁亚芹 .
中国专利 :CN117833027B ,2024-07-26
[4]
一种硅基III-V族纳米脊波导激光器及制备方法 [P]. 
李亚节 ;
冯胜 ;
朱肖丽 ;
王硕 ;
邓连生 ;
章磊 .
中国专利 :CN120511559A ,2025-08-19
[5]
电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法 [P]. 
李亚节 ;
周旭亮 ;
王梦琦 ;
于红艳 ;
杨文宇 ;
潘教青 ;
王圩 .
中国专利 :CN109638648B ,2019-04-16
[6]
电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法 [P]. 
李亚节 ;
周旭亮 ;
王梦琦 ;
王鹏飞 ;
孟芳媛 ;
李召松 ;
于红艳 ;
潘教青 .
中国专利 :CN108736314A ,2018-11-02
[7]
具有简化构造的单模硅基III-V族混合激光器 [P]. 
S·梅内佐 ;
J·潘 ;
T·蒂森 .
中国专利 :CN113785454A ,2021-12-10
[8]
具有简化构造的单模硅基III-V族混合激光器 [P]. 
S·梅内佐 ;
J·潘 ;
T·蒂森 .
法国专利 :CN113785454B ,2024-05-14
[9]
大规模单片集成的硅基III-V族电泵激光器及其制备方法 [P]. 
李亚节 ;
周旭亮 ;
杨文宇 ;
王梦琦 ;
于红艳 ;
潘教青 .
中国专利 :CN111313237B ,2020-06-19
[10]
一种氮化镓基微米线激光器及其制备方法 [P]. 
李述体 ;
陈凯 ;
高芳亮 ;
邹灿 ;
赵子宣 .
中国专利 :CN114024209A ,2022-02-08
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