氮化镓基异质结场效应晶体管及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210424332.7

申请日：

2022-04-22

公开(公告)号：

CN114551584A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

李俊

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L29778 H01L2978 H01L21335 H01L21336 H01L2128

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20220422
2022-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓场效应晶体管及其制造方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230628A ,2017-10-03

[2]

一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管 [P].

杜江锋 ;

潘沛霖 ;

陈南庭 ;

于奇 .

中国专利 :CN104157679B ,2014-11-19

[3]

GaN基异质结场效应晶体管及制造方法 [P].

郭艳敏 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

李佳 ;

王波 ;

张志荣 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN110444600A ,2019-11-12

[4]

GaN基异质结场效应晶体管及制造方法 [P].

郭艳敏 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

李佳 ;

王波 ;

张志荣 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN110335898A ,2019-10-15

[5]

GaN基异质结场效应晶体管及其制造方法 [P].

郭艳敏 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

李佳 ;

王波 ;

张志荣 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN110444599A ,2019-11-12

[6]

横向型氮化镓基场效应晶体管及其制作方法 [P].

贺致远 ;

邵伟恒 ;

王磊 ;

方文啸 ;

陈义强 ;

黄云 ;

恩云飞 .

中国专利 :CN108054208A ,2018-05-18

[7]

氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 [P].

马志勇 ;

王晓亮 ;

冉军学 ;

胡国新 ;

肖红领 ;

王翠梅 ;

罗卫军 .

中国专利 :CN101140947A ,2008-03-12

[8]

一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管 [P].

杜江锋 ;

赵子奇 ;

尹成功 ;

罗杰 ;

黄思霓 ;

严慧 ;

罗谦 ;

于奇 .

中国专利 :CN103035707B ,2013-04-10

[9]

一种氮化镓异质结场效应晶体管及其形成方法 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

刘强 ;

俞文杰 ;

吕有明 ;

陈凌霄 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN105118785A ,2015-12-02

[10]

异质结场效应晶体管及其制备方法 [P].

刘新科 ;

王磊 ;

敖金平 .

中国专利 :CN108807530A ,2018-11-13

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