氮化镓场效应晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610178291.2

申请日：

2016-03-25

公开(公告)号：

CN107230628A

公开(公告)日：

2017-10-03

发明(设计)人：

刘美华孙辉林信南陈建国

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L2910 H01L29778

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

陶敏;刘芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-03	公开	公开
2020-12-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/335 申请公布日:20171003
2017-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20160325

共 50 条

[1]

氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230626A ,2017-10-03

[2]

氮化镓场效应晶体管 [P].

A·M·海尔德 ;

J·约翰 .

中国专利 :CN105164810A ,2015-12-16

[3]

氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230629A ,2017-10-03

[4]

氮化镓基异质结场效应晶体管及其制造方法 [P].

李俊 .

中国专利 :CN114551584A ,2022-05-27

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李时璟 ;

李得君 ;

吕建良 .

中国专利 :CN118983224A ,2024-11-19

[6]

一种氮化镓场效应晶体管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

陈建国 ;

林信南 .

中国专利 :CN106601809A ,2017-04-26

[7]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李时璟 ;

李得君 ;

吕建良 .

中国专利 :CN118983224B ,2025-02-07

[8]

场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管 [P].

笠井直记 ;

中原宁 ;

木村央 ;

深井利宪 .

中国专利 :CN100474611C ,2006-02-22

[9]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[10]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

穆吉塔巴·朱达基 .

中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31

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