场效应晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411471852.9

申请日：

2024-10-22

公开(公告)号：

CN118983224B

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

李时璟李得君吕建良

申请人：

杭州积海半导体有限公司

申请人地址：

311225 浙江省杭州市钱塘新区义蓬街道江东大道3899号709-7号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D62/13

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

顾丹丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20241022
2025-02-07	授权	授权
2024-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李时璟 ;

李得君 ;

吕建良 .

中国专利 :CN118983224A ,2024-11-19

[2]

场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管 [P].

笠井直记 ;

中原宁 ;

木村央 ;

深井利宪 .

中国专利 :CN100474611C ,2006-02-22

[3]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[4]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

穆吉塔巴·朱达基 .

中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

手塚勉 ;

丰田英二 .

中国专利 :CN101404257A ,2009-04-08

[6]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李忠浩 ;

李东矩 ;

李丞哲 ;

李炯锡 ;

南善娥 ;

吴昌佑 ;

李钟昱 ;

S-Y.韩 .

中国专利 :CN103296088A ,2013-09-11

[7]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1560926A ,2005-01-05

[8]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

按田义治 .

中国专利 :CN100364109C ,2005-07-13

[9]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

木下敦宽 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN1909247A ,2007-02-07

[10]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

中川清和 ;

有元圭介 ;

三井实 .

中国专利 :CN1969390A ,2007-05-23

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