场效应晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580017918.6

申请日：

2005-05-31

公开(公告)号：

CN1969390A

公开(公告)日：

2007-05-23

发明(设计)人：

中川清和有元圭介三井实

申请人：

申请人地址：

日本国山梨県

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-23	公开	公开
2007-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101058384963 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2005800179186 公开日:20070523
2008-09-03	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:株式会社山梨TLO 变更后权利人:国立大学法人山梨大学变更事项:地址变更前权利人:日本国山梨県变更后权利人:日本国山梨県登记生效日:20080808

共 50 条

[1]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[2]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

穆吉塔巴·朱达基 .

中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31

[3]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

朱昊伟 .

中国专利 :CN119698045A ,2025-03-25

[4]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109119475A ,2019-01-01

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李迪 .

中国专利 :CN112563322A ,2021-03-26

[6]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111048418A ,2020-04-21

[7]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

安德斯·布赖恩特 ;

威廉·F·克拉克 ;

约翰·J·埃里斯－默纳翰 ;

爱德华·P·玛西杰维斯吉 ;

爱德华·J·诺沃克 ;

威尔伯·D·普里瑟 ;

密恩·H·通 .

中国专利 :CN1155078C ,2000-03-29

[8]

场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管 [P].

笠井直记 ;

中原宁 ;

木村央 ;

深井利宪 .

中国专利 :CN100474611C ,2006-02-22

[9]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

手塚勉 ;

丰田英二 .

中国专利 :CN101404257A ,2009-04-08

[10]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李忠浩 ;

李东矩 ;

李丞哲 ;

李炯锡 ;

南善娥 ;

吴昌佑 ;

李钟昱 ;

S-Y.韩 .

中国专利 :CN103296088A ,2013-09-11

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