半导电性聚酰亚胺膜及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02812040.X

申请日：

2002-06-14

公开(公告)号：

CN1516716A

公开(公告)日：

2004-07-28

发明(设计)人：

金城永泰西川泰司赤堀廉一

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C08J518

IPC分类号：

C08L79:08

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张平元;赵仁临

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-11-22	授权	授权
2022-07-01	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C08J 5/18 申请日:20020614 授权公告日:20061122
2004-07-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导电性聚酰亚胺膜及其制造方法 [P].

金城永泰 ;

西川泰司 ;

赤堀廉一 .

中国专利 :CN100580014C ,2007-03-28

[2]

导电性聚酰亚胺膜的制造方法 [P].

奥聪志 ;

柳田正美 ;

伊藤卓 .

中国专利 :CN104704025A ,2015-06-10

[3]

导电性聚酰亚胺膜的制造方法 [P].

小川纮平 ;

柳田正美 ;

伊藤卓 .

中国专利 :CN104245844B ,2014-12-24

[4]

导电性聚酰亚胺膜的制造方法 [P].

奥聪志 ;

柳田正美 ;

加藤裕介 ;

小岛正宽 ;

伊藤卓 .

中国专利 :CN103180390A ,2013-06-26

[5]

聚酰亚胺膜及其制造方法 [P].

田珍硕 ;

吕文真 ;

李吉男 .

韩国专利 :CN118317999A ,2024-07-09

[6]

聚酰亚胺膜及其制造方法 [P].

金城永泰 ;

伊藤利尚 ;

薮田胜典 ;

赤堀廉一 .

中国专利 :CN101081906B ,2007-12-05

[7]

聚酰亚胺膜及其制造方法 [P].

金城永泰 ;

伊藤利尚 ;

薮田胜典 ;

赤堀廉一 .

中国专利 :CN102120825A ,2011-07-13

[8]

聚酰亚胺膜及其制造方法 [P].

金城永泰 ;

伊藤利尚 ;

薮田胜典 ;

赤堀廉一 .

中国专利 :CN102161771B ,2011-08-24

[9]

聚酰亚胺膜及其制造方法 [P].

金城永泰 ;

伊藤利尚 ;

薮田胜典 ;

赤堀廉一 .

中国专利 :CN1462291A ,2003-12-17

[10]

黑色聚酰亚胺膜及其制造方法 [P].

吕文真 ;

田珍硕 ;

元东荣 .

韩国专利 :CN119317658A ,2025-01-14

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