非绝缘型功率模块及其封装工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210052588.6
申请日
2012-02-22
公开(公告)号
CN103295920A
公开(公告)日
2013-09-11
发明(设计)人
郑军 周锦源 贺东晓 王涛
申请人
申请人地址
213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
IPC主分类号
H01L2150
IPC分类号
H01L2156 H01L2516 H01L2334 H01L2328
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
李家麟;王忠忠
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
非绝缘型功率模块 [P]. 
郑军 ;
周锦源 ;
贺东晓 ;
王涛 .
中国专利 :CN202948921U ,2013-05-22
[2]
功率模块及封装工艺 [P]. 
暴杰 ;
许重斌 .
中国专利 :CN118943113A ,2024-11-12
[3]
一种功率模块及其封装工艺 [P]. 
王素 ;
张鹏 ;
戴鑫宇 .
中国专利 :CN117712064A ,2024-03-15
[4]
一种功率器件、功率模块及其封装工艺 [P]. 
贺冠强 ;
曾祥浩 ;
刘良杰 ;
唐洲 ;
陈俊 ;
吴书舟 ;
廖俊翕 ;
李聪炟 ;
王亮 .
中国专利 :CN113745179A ,2021-12-03
[5]
非绝缘型功率模块 [P]. 
中村宏之 .
中国专利 :CN112768431A ,2021-05-07
[6]
非绝缘型功率模块 [P]. 
中村宏之 .
日本专利 :CN112768431B ,2024-08-02
[7]
电连接件、功率模块及封装工艺 [P]. 
陈峤 ;
梁琳 ;
郑楠楠 .
中国专利 :CN114496985A ,2022-05-13
[8]
一种功率模块的封装工艺 [P]. 
周理明 ;
陈明 ;
周正勇 ;
原江伟 ;
郑忠庆 ;
王毅 .
中国专利 :CN110289217A ,2019-09-27
[9]
IGBT模块及其封装工艺 [P]. 
潘达文 ;
解燕旗 ;
黄伦 .
中国专利 :CN121237734A ,2025-12-30
[10]
一种四电平有源中点钳位型功率模块及其封装工艺 [P]. 
陈剑飞 ;
刘鹏辉 .
中国专利 :CN117637697A ,2024-03-01