一种低温液相烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611139396.3

申请日：

2016-12-12

公开(公告)号：

CN108610055A

公开(公告)日：

2018-10-02

发明(设计)人：

张景贤段于森李晓光何永钦

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C04B35584

IPC分类号：

C04B3564

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-02	公开	公开
2020-12-29	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C04B 35/584 登记生效日:20201217 变更事项:申请人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更后权利人:浙江多面体新材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号变更后权利人:313023 浙江省湖州市吴兴区埭溪镇上强工业功能区创强路2号1栋
2018-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/584 申请日:20161212
2021-09-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高β相致密氮化硅陶瓷及低温制备方法 [P].

赵世贤 ;

郭昂 ;

王战民 ;

李凌锋 ;

司瑶晨 ;

王刚 ;

李红霞 .

中国专利 :CN110590377B ,2019-12-20

[2]

一种采用单一烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法 [P].

张景贤 ;

段于森 ;

李晓光 .

中国专利 :CN109694254A ,2019-04-30

[3]

一种常压烧结制备高热导率氮化硅陶瓷的方法 [P].

张景贤 ;

段于森 ;

李晓光 .

中国专利 :CN109305816B ,2019-02-05

[4]

常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法 [P].

刘得顺 ;

王福 ;

杨连弟 ;

王京甫 ;

徐锦标 ;

郭金砚 ;

邹艺峰 .

中国专利 :CN102276260B ,2011-12-14

[5]

一种低温无压烧结氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

李晓雷 ;

赵志浩 ;

孙永强 ;

季惠明 .

中国专利 :CN107043263A ,2017-08-15

[6]

一种制备致密氮化硅陶瓷的方法 [P].

武振飞 ;

张雷 ;

梅杰 ;

王跃超 ;

张弘毅 .

中国专利 :CN119977615A ,2025-05-13

[7]

一种高硬度氮化硅陶瓷的低温烧结方法 [P].

彭桂花 ;

江国健 ;

李文兰 ;

张宝林 ;

庄汉锐 ;

徐素英 .

中国专利 :CN1654430A ,2005-08-17

[8]

低温烧结高导热氮化硅陶瓷粉体、陶瓷制备方法及应用 [P].

周涛 ;

雒文博 ;

温兵 ;

赵立宏 .

中国专利 :CN113213946A ,2021-08-06

[9]

一种制备氮化硅陶瓷的烧结助剂及其应用、氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

张伟儒 ;

丁智杰 ;

孙峰 ;

董廷霞 ;

徐学敏 ;

李泽坤 ;

徐金梦 ;

李洪浩 ;

魏文钊 ;

曹冲 .

中国专利 :CN113105252A ,2021-07-13

[10]

一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法、氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

樊磊 ;

高卡 ;

丁云鹏 ;

高阳 ;

杨守磊 ;

白中义 ;

高前程 ;

郭晓琴 ;

张锐 .

中国专利 :CN112209725A ,2021-01-12

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