一种高β相致密氮化硅陶瓷及低温制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911036674.6
申请日
2019-10-29
公开(公告)号
CN110590377B
公开(公告)日
2019-12-20
发明(设计)人
赵世贤 郭昂 王战民 李凌锋 司瑶晨 王刚 李红霞
申请人
申请人地址
471039 河南省洛阳市涧西区西苑路43号
IPC主分类号
C04B35584
IPC分类号
C04B35622 C04B3564
代理机构
洛阳明律专利代理事务所(普通合伙) 41118
代理人
李娟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种低温液相烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法 [P]. 
张景贤 ;
段于森 ;
李晓光 ;
何永钦 .
中国专利 :CN108610055A ,2018-10-02
[2]
一种高导热氮化硅陶瓷及其制备方法 [P]. 
张景贤 ;
段于森 ;
叶䶮昱 .
中国专利 :CN119775024A ,2025-04-08
[3]
氮化硅陶瓷的制备方法 [P]. 
何东 ;
张天宇 ;
宋晓超 ;
张天舒 .
中国专利 :CN106866154A ,2017-06-20
[4]
氮化硅陶瓷及其制备方法 [P]. 
颜井意 ;
蔡安澜 ;
杜建周 ;
史媛玉 .
中国专利 :CN108409336A ,2018-08-17
[5]
一种氮化硅陶瓷烧结助剂、高导热氮化硅陶瓷及制备方法 [P]. 
丁杰 ;
闫永杰 .
中国专利 :CN117303917B ,2024-07-30
[6]
一种制备致密氮化硅陶瓷的方法 [P]. 
武振飞 ;
张雷 ;
梅杰 ;
王跃超 ;
张弘毅 .
中国专利 :CN119977615A ,2025-05-13
[7]
一种高固含量氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及制备方法 [P]. 
伍尚华 ;
吕东霖 .
中国专利 :CN117819990B ,2025-12-12
[8]
一种高固含量氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及制备方法 [P]. 
伍尚华 ;
吕东霖 .
中国专利 :CN117819990A ,2024-04-05
[9]
氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P]. 
杨晓冬 ;
冼锐炜 .
中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22
[10]
一种制备氮化硅陶瓷的烧结助剂及其应用、氮化硅陶瓷的制备方法 [P]. 
张伟儒 ;
丁智杰 ;
孙峰 ;
董廷霞 ;
徐学敏 ;
李泽坤 ;
徐金梦 ;
李洪浩 ;
魏文钊 ;
曹冲 .
中国专利 :CN113105252A ,2021-07-13