一种具有高磁电阻效应的双磁性隧道结及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN200410009938.6
申请日
2004-12-02
公开(公告)号
CN1614714A
公开(公告)日
2005-05-11
发明(设计)人
姜勇 于广华 王燕斌 腾蛟
申请人
申请人地址
100083北京市海淀区学院路30号
IPC主分类号
G11C1115
IPC分类号
H01L4300
代理机构
北京科大华谊专利代理事务所
代理人
刘月娥
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结及其制备方法 [P]. 
姜勇 ;
于广华 ;
王燕斌 .
中国专利 :CN1632964A ,2005-06-29
[2]
一种含有合成反铁磁结构的双磁性隧道结及其制备方法 [P]. 
姜勇 ;
于广华 ;
王燕斌 ;
腾蛟 .
中国专利 :CN1638167A ,2005-07-13
[3]
提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法 [P]. 
周俊 ;
倪经 ;
陈彦 ;
黄豹 ;
邹延珂 ;
郭韦 ;
曹照亮 .
中国专利 :CN104659202A ,2015-05-27
[4]
具有自旋电动势及巨磁电阻效应的磁性隧道结自旋电池及其制备方法 [P]. 
颜世申 ;
李强 ;
沈婷婷 ;
代正坤 ;
刘国磊 ;
陈延学 ;
梅良模 .
中国专利 :CN102931341A ,2013-02-13
[5]
隧道效应磁电阻器件及制备方法 [P]. 
赵柏儒 ;
蔡纯 ;
龚伟志 ;
许波 ;
张福昌 .
中国专利 :CN1248325C ,2003-11-26
[6]
一种新型高磁电阻磁隧道结的制备方法 [P]. 
王海燕 .
中国专利 :CN106784305A ,2017-05-31
[7]
一种双磁性隧道结的刻蚀方法 [P]. 
左正笏 ;
李辉辉 ;
徐庶 ;
蒋信 ;
韩谷昌 ;
刘瑞盛 ;
孟皓 ;
刘波 .
中国专利 :CN105374936A ,2016-03-02
[8]
一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途 [P]. 
魏红祥 ;
韩秀峰 ;
赵静 ;
杜关祥 ;
王磊 ;
王荫君 .
中国专利 :CN100505360C ,2007-05-23
[9]
具有磁电阻效应的磁性复合有机纳米颗粒膜及其制备方法 [P]. 
倪刚 ;
盛鹏 ;
赵晓萌 ;
树奇 ;
殷建芳 ;
吴俊奇 .
中国专利 :CN101354945A ,2009-01-28
[10]
磁性隧道结的参考层的制备方法、磁性隧道结的制备方法 [P]. 
刘鲁萍 ;
简红 ;
蒋信 .
中国专利 :CN107958954A ,2018-04-24