一种双磁性隧道结的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510867718.5

申请日：

2015-12-01

公开(公告)号：

CN105374936A

公开(公告)日：

2016-03-02

发明(设计)人：

左正笏李辉辉徐庶蒋信韩谷昌刘瑞盛孟皓刘波

申请人：

申请人地址：

311121 浙江省杭州市余杭区文一西路998号海创园4号楼701室

IPC主分类号：

H01L4312

IPC分类号：

H01L4308 G11C1116

代理机构：

杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216

代理人：

张慧英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101652515421 IPC(主分类):H01L 43/12 专利申请号:2015108677185 申请日:20151201
2016-03-02	公开	公开
2018-11-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 43/12 申请公布日:20160302

共 50 条

[1]

磁性隧道结刻蚀方法 [P].

王曙光 ;

钱虓 ;

杨成成 ;

冀正辉 ;

刘瑞盛 ;

李辉辉 .

中国专利 :CN112563412A ,2021-03-26

[2]

一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法 [P].

张云森 .

中国专利 :CN107331768A ,2017-11-07

[3]

多层磁性隧道结刻蚀方法和MRAM器件 [P].

王珏斌 ;

蒋中原 ;

刘自明 ;

车东晨 ;

崔虎山 ;

胡冬冬 ;

陈璐 ;

韩大健 ;

邹志文 ;

许开东 .

中国专利 :CN111162005A ,2020-05-15

[4]

一种具有高磁电阻效应的双磁性隧道结及其制备方法 [P].

姜勇 ;

于广华 ;

王燕斌 ;

腾蛟 .

中国专利 :CN1614714A ,2005-05-11

[5]

一种刻蚀磁性隧道结及其底电极的方法 [P].

张云森 ;

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN107623069A ,2018-01-23

[6]

一种刻蚀磁性隧道结导电硬掩模的方法 [P].

张云森 ;

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN110098320A ,2019-08-06

[7]

一种含有合成反铁磁结构的双磁性隧道结及其制备方法 [P].

姜勇 ;

于广华 ;

王燕斌 ;

腾蛟 .

中国专利 :CN1638167A ,2005-07-13

[8]

基于磁性隧道结的忆阻器 [P].

蔡佳林 ;

方彬 ;

王超 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN107871815A ,2018-04-03

[9]

磁性隧道结及形成磁性隧道结的方法 [P].

古尔特杰·S·桑胡 .

中国专利 :CN105556691B ,2016-05-04

[10]

一种轻离子溅射刻蚀制备磁性隧道结的方法 [P].

张云森 .

中国专利 :CN108232004A ,2018-06-29

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