多层磁性隧道结刻蚀方法和MRAM器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811325940.2

申请日：

2018-11-08

公开(公告)号：

CN111162005A

公开(公告)日：

2020-05-15

发明(设计)人：

王珏斌蒋中原刘自明车东晨崔虎山胡冬冬陈璐韩大健邹志文许开东

申请人：

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L4308 H01L4312 G11C1116

代理机构：

北京得信知识产权代理有限公司 11511

代理人：

孟海娟;崔建丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20181108
2020-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

磁性隧道结刻蚀方法 [P].

王曙光 ;

钱虓 ;

杨成成 ;

冀正辉 ;

刘瑞盛 ;

李辉辉 .

中国专利 :CN112563412A ,2021-03-26

[2]

一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法 [P].

李佳鹤 ;

杨宇新 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN114530550B ,2025-07-15

[3]

一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法 [P].

李佳鹤 ;

杨宇新 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN114530550A ,2022-05-24

[4]

一种磁隧道结刻蚀方法 [P].

刘自明 ;

王珏斌 ;

蒋中原 ;

车东晨 ;

崔虎山 ;

胡冬冬 ;

陈璐 ;

孙宏月 ;

韩大健 ;

许开东 .

中国专利 :CN111146335A ,2020-05-12

[5]

一种磁隧道结刻蚀方法 [P].

许开东 ;

车东晨 ;

胡冬冬 ;

陈璐 .

中国专利 :CN109065480A ,2018-12-21

[6]

一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法 [P].

胡冬冬 ;

王珏斌 ;

蒋中原 ;

刘自明 ;

车东晨 ;

崔虎山 ;

陈璐 ;

任慧群 ;

孙宏月 ;

许开东 .

中国专利 :CN111146336A ,2020-05-12

[7]

磁性隧道结器件 [P].

韩谷昌 ;

哀立波 ;

张恺烨 ;

刘波 .

中国专利 :CN114613905A ,2022-06-10

[8]

磁性隧道结器件 [P].

T·M·菲利普 ;

陈敬慈 ;

K·W·布雷弗 ;

韩金萍 ;

玉仁祚 .

美国专利 :CN120051828A ,2025-05-27

[9]

磁性隧道结器件 [P].

曾定桂 ;

徐朋法 ;

王耀华 ;

何世坤 .

中国专利 :CN121013638A ,2025-11-25

[10]

磁性隧道结器件 [P].

孟皓 ;

石以诺 ;

李州 ;

迟克群 .

中国专利 :CN114497357A ,2022-05-13

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