一种磁隧道结刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811298686.1

申请日：

2018-11-02

公开(公告)号：

CN111146335A

公开(公告)日：

2020-05-12

发明(设计)人：

刘自明王珏斌蒋中原车东晨崔虎山胡冬冬陈璐孙宏月韩大健许开东

申请人：

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号

IPC主分类号：

H01L4312

IPC分类号：

H01L4308

代理机构：

北京得信知识产权代理有限公司 11511

代理人：

袁伟东;阿苏娜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-12	公开	公开
2020-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/12 申请日:20181102

共 50 条

[1]

一种磁隧道结刻蚀方法 [P].

许开东 ;

车东晨 ;

胡冬冬 ;

陈璐 .

中国专利 :CN109065480A ,2018-12-21

[2]

一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法 [P].

胡冬冬 ;

王珏斌 ;

蒋中原 ;

刘自明 ;

车东晨 ;

崔虎山 ;

陈璐 ;

任慧群 ;

孙宏月 ;

许开东 .

中国专利 :CN111146336A ,2020-05-12

[3]

一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法 [P].

李佳鹤 ;

杨宇新 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN114530550B ,2025-07-15

[4]

一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法 [P].

李佳鹤 ;

杨宇新 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN114530550A ,2022-05-24

[5]

多层磁性隧道结刻蚀方法和MRAM器件 [P].

王珏斌 ;

蒋中原 ;

刘自明 ;

车东晨 ;

崔虎山 ;

胡冬冬 ;

陈璐 ;

韩大健 ;

邹志文 ;

许开东 .

中国专利 :CN111162005A ,2020-05-15

[6]

一种磁隧道结制作方法 [P].

车东晨 ;

刘自明 ;

蒋中原 ;

王珏斌 ;

崔虎山 ;

胡冬冬 ;

陈璐 ;

邹志文 ;

孙宏月 ;

许开东 .

中国专利 :CN111146334A ,2020-05-12

[7]

磁性隧道结刻蚀方法 [P].

王曙光 ;

钱虓 ;

杨成成 ;

冀正辉 ;

刘瑞盛 ;

李辉辉 .

中国专利 :CN112563412A ,2021-03-26

[8]

一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法 [P].

谷志强 ;

吴志浩 ;

吴愧 ;

蒋中原 ;

车东晨 ;

许开东 .

中国专利 :CN110635022A ,2019-12-31

[9]

一种双磁性隧道结的刻蚀方法 [P].

左正笏 ;

李辉辉 ;

徐庶 ;

蒋信 ;

韩谷昌 ;

刘瑞盛 ;

孟皓 ;

刘波 .

中国专利 :CN105374936A ,2016-03-02

[10]

一种刻蚀方法及刻蚀系统 [P].

朱开放 ;

任华 ;

郭春祥 ;

彭泰彦 ;

杨宇新 ;

许开东 .

中国专利 :CN118280829A ,2024-07-02

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