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一种磁隧道结制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811298680.4
申请日：
2018-11-02
公开(公告)号：
CN111146334A
公开(公告)日：
2020-05-12
发明(设计)人：
车东晨 刘自明 蒋中原 王珏斌 崔虎山 胡冬冬 陈璐 邹志文 孙宏月 许开东
申请人：
申请人地址：
221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号
IPC主分类号：
H01L4312
IPC分类号：
H01L4308
代理机构：
北京得信知识产权代理有限公司 11511
代理人：
孟海娟;崔建丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-05-12 公开 公开
2020-06-05 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/12 申请日:20181102
共 50 条
[1]
一种磁隧道结刻蚀方法 [P]. 
刘自明 ;
王珏斌 ;
蒋中原 ;
车东晨 ;
崔虎山 ;
胡冬冬 ;
陈璐 ;
孙宏月 ;
韩大健 ;
许开东 .
中国专利 :CN111146335A ,2020-05-12
[2]
一种磁隧道结刻蚀方法 [P]. 
许开东 ;
车东晨 ;
胡冬冬 ;
陈璐 .
中国专利 :CN109065480A ,2018-12-21
[3]
一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法 [P]. 
胡冬冬 ;
王珏斌 ;
蒋中原 ;
刘自明 ;
车东晨 ;
崔虎山 ;
陈璐 ;
任慧群 ;
孙宏月 ;
许开东 .
中国专利 :CN111146336A ,2020-05-12
[4]
一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法 [P]. 
李佳鹤 ;
杨宇新 ;
彭泰彦 ;
许开东 .
中国专利 :CN114530550B ,2025-07-15
[5]
一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法 [P]. 
李佳鹤 ;
杨宇新 ;
彭泰彦 ;
许开东 .
中国专利 :CN114530550A ,2022-05-24
[6]
多层磁性隧道结刻蚀方法和MRAM器件 [P]. 
王珏斌 ;
蒋中原 ;
刘自明 ;
车东晨 ;
崔虎山 ;
胡冬冬 ;
陈璐 ;
韩大健 ;
邹志文 ;
许开东 .
中国专利 :CN111162005A ,2020-05-15
[7]
一种半导体器件制作方法 [P]. 
蒋中原 ;
刘自明 ;
王珏斌 ;
车东晨 ;
崔虎山 ;
胡冬冬 ;
陈璐 ;
任慧群 ;
邹志文 ;
许开东 .
中国专利 :CN111162164A ,2020-05-15
[8]
基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法 [P]. 
崔岩 ;
罗军 ;
杨美音 ;
许静 .
中国专利 :CN110277115B ,2019-09-24
[9]
一种高密度磁隧道结制造方法 [P]. 
许开东 ;
车东晨 ;
胡冬冬 ;
崔虎山 ;
刘自明 ;
琚里 ;
孙宏月 ;
陈璐 .
中国专利 :CN111200060A ,2020-05-26
[10]
一种磁隧道结及其制造方法 [P]. 
许开东 .
中国专利 :CN108091359B ,2018-05-29
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