二噻吩并苯并噻吩并[3,2-b]噻吩共聚物及其作为高性能可溶液加工半导体聚合物的用途

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201080054412.3
申请日
2010-11-29
公开(公告)号
CN102639591B
公开(公告)日
2012-08-15
发明(设计)人
M·卡斯特勒 S·A·克勒 K·米伦 R·里格尔
申请人
申请人地址
德国路德维希港
IPC主分类号
C08G6112
IPC分类号
H01L5100 H01L5105
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
刘金辉;林柏楠
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
聚(5,5′-二(噻吩-2-基)苯并[2,1-b;3,4-b′]二噻吩)及其作为高性能可溶液加工半导体聚合物的用途 [P]. 
M·卡斯特勒 ;
S·克勒 ;
K·米伦 ;
M·刘 ;
D·贝克曼 ;
R·里格尔 .
中国专利 :CN102084436A ,2011-06-01
[2]
基于二噻吩并[2,3-d:2′,3′-d′]苯并[1,2-b:4,5-b′]二噻吩的高性能可溶液加工半导体 [P]. 
M·卡斯特勒 ;
S·A·克勒 ;
K·米伦 ;
高鹏 ;
D·比克曼 ;
冯新良 ;
H·N·陶 .
中国专利 :CN102083838B ,2011-06-01
[3]
含噻吩并噻吩-二苯并噻吩苯并二噻吩的共轭聚合物及其制备方法与应用 [P]. 
周明杰 ;
管榕 ;
李满园 ;
黄佳乐 ;
黎乃元 .
中国专利 :CN103936969A ,2014-07-23
[4]
双(噻吩并[3,2-b]噻吩)并芴单体、共轭聚合物及其应用 [P]. 
肖生强 ;
杨明焱 ;
尤为 ;
詹春 .
中国专利 :CN104557972A ,2015-04-29
[5]
苯并二噻吩的聚合物及其作为有机半导体的用途 [P]. 
S·提尔奈 ;
N·布鲁因 ;
W·密特彻 ;
王常胜 ;
M·卡拉斯克-欧罗兹克 ;
F·E·梅耶 .
中国专利 :CN102844312B ,2012-12-26
[6]
基于取代的[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩的半导体 [P]. 
T·梅耶尔-弗里德里奇森 ;
K·路透 ;
A·埃尔施纳 ;
M·哈里克 .
中国专利 :CN103140493A ,2013-06-05
[7]
二噻吩并邻苯二甲酰亚胺半导体聚合物 [P]. 
野口博义 ;
F·德兹 ;
A·K·米什拉 ;
S·瓦伊迪耶纳森 ;
M·明-蒂恩 .
中国专利 :CN103635505A ,2014-03-12
[8]
含噻吩并[3,4-b]噻吩单元的苯并二噻吩类共聚物及其制备方法与应用 [P]. 
周明杰 ;
管榕 ;
李满园 ;
黄佳乐 ;
黎乃元 .
中国专利 :CN104769002B ,2015-07-08
[9]
一种新型苯并[b]噻吩并[3,2‑b]苯并[b]噻吩二砜单体及其共聚物和用途 [P]. 
尤为 ;
高建宏 ;
肖生强 ;
詹春 .
中国专利 :CN105778061B ,2016-07-20
[10]
光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用 [P]. 
霍利军 ;
侯剑辉 ;
武岳 .
中国专利 :CN102585177A ,2012-07-18