基于取代的[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩的半导体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180035592.5

申请日：

2011-07-19

公开(公告)号：

CN103140493A

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

T·梅耶尔-弗里德里奇森 K·路透 A·埃尔施纳 M·哈里克

申请人：

申请人地址：

德国哈瑙

IPC主分类号：

C07D49504

IPC分类号：

H01L5100

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

肖威;刘金辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	公开	公开
2015-05-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714727964 IPC(主分类):C07D 495/04 专利申请号:2011800355925 申请公布日:20130605
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486722495 IPC(主分类):C07D 495/04 专利申请号:2011800355925 申请日:20110719

共 50 条

[1]

取代的苯并噻吩并嘧啶 [P].

U·克拉尔 ;

G·克特绍 ;

D·科泽蒙德 ;

F·普勒 ;

K·艾斯 ;

P·利瑙 ;

U·伯默 ;

D·苏兹勒 ;

L·沃特曼 .

中国专利 :CN104470931B ,2015-03-25

[2]

[1]苯并噻吩并[3，2-b][1]苯并噻吩化合物及其制法、和用其的有机电子器件 [P].

后藤大辅 ;

鸟居昌史 ;

堀内保 ;

有贺保 ;

生野弘 ;

匂坂俊也 ;

山本谕 ;

折户武志 ;

毛利匡贵 ;

冈田崇 ;

加藤拓司 ;

松本真二 .

中国专利 :CN102007131B ,2011-04-06

[3]

一类基于苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的n型有机半导体材料及其制备方法和应用 [P].

孟鸿 ;

赵佳钧 ;

贺耀武 .

中国专利 :CN113087720B ,2021-07-09

[4]

类苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的空穴传输材料及其制备方法和应用 [P].

孟鸿 ;

王江峰 ;

贺耀武 .

中国专利 :CN113024579A ,2021-06-25

[5]

可聚合的噻吩并[3,2-b]噻吩 [P].

M·黑内 ;

张卫民 ;

I·麦克洛奇 .

中国专利 :CN101693722A ,2010-04-14

[6]

可聚合的噻吩并[3,2－b]噻吩 [P].

M·黑内 ;

张卫民 ;

I·麦克洛奇 .

中国专利 :CN1964980A ,2007-05-16

[7]

三酰胺取代的吲哚、苯并呋喃及苯并噻吩 [P].

彼得·伯蒂纳托 ;

艾伦·E·布利兹 ;

布赖恩·S·布朗克 ;

程恒淼 ;

希普·休亚坦 ;

李靖 ;

克利夫·P·马森 .

中国专利 :CN1880304A ,2006-12-20

[8]

三酰胺取代的吲哚、苯并呋喃及苯并噻吩 [P].

彼得·伯蒂纳托 ;

艾伦·E·布利兹 ;

布赖恩·S·布朗克 ;

程恒淼 ;

希普·休亚坦 ;

李靖 ;

克利夫·P·马森 .

中国专利 :CN1522246B ,2004-08-18

[9]

取代的苯并二噻吩和苯并二硒吩 [P].

M·希尼 ;

W·张 ;

S·蒂尔尼 ;

I·麦卡洛克 .

中国专利 :CN101495487A ,2009-07-29

[10]

取代并五苯半导体 [P].

T·P·史密斯 ;

D·E·福格尔 ;

K·M·福格尔 .

中国专利 :CN1582506A ,2005-02-16

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