[1]苯并噻吩并[3，2-b][1]苯并噻吩化合物及其制法、和用其的有机电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980113662.7

申请日：

2009-04-15

公开(公告)号：

CN102007131B

公开(公告)日：

2011-04-06

发明(设计)人：

后藤大辅鸟居昌史堀内保有贺保生野弘匂坂俊也山本谕折户武志毛利匡贵冈田崇加藤拓司松本真二

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C07D49504

IPC分类号：

H01L5105 H01L5130 H01L5140

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

宋莉

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C07D 495/04 申请日:20090415 授权公告日:20150603 终止日期:20190415
2011-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101072508021 IPC(主分类):C07D 495/04 专利申请号:2009801136627 申请日:20090415
2011-04-06	公开	公开
2015-06-03	授权	授权

共 50 条

[1]

基于取代的[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩的半导体 [P].

T·梅耶尔-弗里德里奇森 ;

K·路透 ;

A·埃尔施纳 ;

M·哈里克 .

中国专利 :CN103140493A ,2013-06-05

[2]

苯并噻吩化合物 [P].

石原司 ;

生贝和弘 ;

栗胁生实 ;

久道弘幸 ;

竹下畅昭 ;

武泽龙一 .

中国专利 :CN105263926A ,2016-01-20

[3]

非对称二苯并二噻吩并噻吩化合物 [P].

吴贻良 ;

A·维格勒斯沃斯 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN103044445B ,2013-04-17

[4]

类苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的空穴传输材料及其制备方法和应用 [P].

孟鸿 ;

王江峰 ;

贺耀武 .

中国专利 :CN113024579A ,2021-06-25

[5]

苯并环庚并噻吩化合物 [P].

A·K·G·奥贝里 ;

G·E·赖特 ;

J·L·陈 .

中国专利 :CN1128789C ,2003-11-26

[6]

苯并呋喃和苯并噻吩类化合物 [P].

G·穆瓦内 ;

C·勒里什 ;

M·凯尔戈特 .

中国专利 :CN1882562A ,2006-12-20

[7]

制造苯并[B]噻吩化合物的方法 [P].

新滨光一 ;

宇积尚登 ;

曾田正博 ;

藤枝茂男 ;

小笠原新 .

中国专利 :CN103717587B ,2014-04-09

[8]

新型苯并噻吩药用化合物 [P].

H·U·布赖恩特 ;

J·A·道奇 .

中国专利 :CN1178464A ,1998-04-08

[9]

苯并呋喃和苯并噻吩杂环化合物合成的方法 [P].

陈拥军 ;

陈从喜 ;

刘利 ;

王东 .

中国专利 :CN1663953A ,2005-09-07

[10]

四氢苯并噻吩化合物 [P].

八谷俊一 ;

三浦理宪 ;

今村佳正 ;

加贺大辅 ;

佐藤一平 ;

森友博幸 ;

加藤浩二 ;

寺居和宏 ;

寺田央 .

中国专利 :CN102869656B ,2013-01-09

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