非易失性存储器件和利用非易失性存储器件的半导体系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310552546.3

申请日：

2013-11-08

公开(公告)号：

CN104347115A

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

金珪圣

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C1606

IPC分类号：

G11C1300

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

俞波;毋二省

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-19	授权	授权
2015-02-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体非易失性存储器件 [P].

田中利广 ;

加藤正高 ;

佐佐木敏夫 ;

久米均 ;

小谷博昭 ;

古泽和则 .

中国专利 :CN1100553A ,1995-03-22

[2]

半导体非易失性存储器件 [P].

田中利広 ;

加藤正高 ;

久米均 ;

小仓圭介 ;

足立哲生 .

中国专利 :CN1120231A ,1996-04-10

[3]

非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的存储器系统 [P].

金森基 ;

金南斌 ;

金泰勋 .

韩国专利 :CN119012695A ,2024-11-22

[4]

非易失性存储器件和非易失性存储器件的擦除方法 [P].

韩煜基 .

中国专利 :CN107591175B ,2018-01-16

[5]

非易失性存储器件和非易失性存储器件的擦除方法 [P].

韩煜基 .

中国专利 :CN111554342B ,2020-08-18

[6]

非易失性存储器件 [P].

纳德尔·阿克尔 ;

帕拉哈特·阿加瓦尔 ;

罗伯特斯·T·F·范斯查克 .

中国专利 :CN101432852B ,2009-05-13

[7]

非易失性存储器件 [P].

张桐熏 ;

梁宇成 ;

任峻成 ;

黄盛珉 .

中国专利 :CN111276488A ,2020-06-12

[8]

非易失性存储器件 [P].

郑载勋 ;

金汉洙 ;

张在薰 ;

赵厚成 ;

金敬勋 .

中国专利 :CN101859778B ,2010-10-13

[9]

非易失性存储器件 [P].

朴珠用 ;

金胜渊 ;

边大锡 .

韩国专利 :CN117596884A ,2024-02-23

[10]

非易失性存储器件 [P].

张桐熏 ;

梁宇成 ;

任峻成 ;

黄盛珉 .

韩国专利 :CN111276488B ,2024-03-12

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