半导体非易失性存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN94106214.7

申请日：

1994-06-01

公开(公告)号：

CN1100553A

公开(公告)日：

1995-03-22

发明(设计)人：

田中利广加藤正高佐佐木敏夫久米均小谷博昭古泽和则

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

G11C1606

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-02	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101583283324 IPC(主分类):G11C 16/06 专利号:ZL941062147 申请日:19940601 授权公告日:20020710 期满终止日期:20140601
1996-11-06	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1995-03-22	公开	公开
2002-07-10	授权	授权
2012-12-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101484543533 IPC(主分类):G11C 16/06 专利号:ZL941062147 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立制作所变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20121112

共 50 条

[1]

半导体非易失性存储器件 [P].

田中利広 ;

加藤正高 ;

久米均 ;

小仓圭介 ;

足立哲生 .

中国专利 :CN1120231A ,1996-04-10

[2]

半导体存储器件 [P].

田中利广 ;

加藤正高 ;

佐佐木敏夫 ;

久米均 ;

小谷博昭 ;

古泽和则 .

中国专利 :CN1221957A ,1999-07-07

[3]

包括非易失性存储器件的半导体存储器模块 [P].

崔桢焕 ;

李泰成 .

韩国专利 :CN110795370B ,2025-01-28

[4]

包括非易失性存储器件的半导体存储器模块 [P].

崔桢焕 ;

李泰成 .

中国专利 :CN110795370A ,2020-02-14

[5]

非易失性存储器件和利用非易失性存储器件的半导体系统 [P].

金珪圣 .

中国专利 :CN104347115A ,2015-02-11

[6]

半导体存储器件 [P].

冈村淳一 .

中国专利 :CN1052812C ,1996-09-25

[7]

非易失性存储器件 [P].

朴珠用 ;

金胜渊 ;

边大锡 .

韩国专利 :CN117596884A ,2024-02-23

[8]

半导体非易失性存储器 [P].

小岛诚 .

中国专利 :CN101441894A ,2009-05-27

[9]

非易失性存储器件 [P].

李世勋 ;

权俊瑛 ;

金俊亨 ;

成锡江 .

韩国专利 :CN119562519A ,2025-03-04

[10]

半导体器件和包括半导体器件的非易失性存储器件 [P].

金鹤善 ;

高秉柱 ;

白圣权 ;

徐载和 ;

李昌宪 .

中国专利 :CN114078975A ,2022-02-22

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