刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310446528.7

申请日：

2013-09-26

公开(公告)号：

CN103911616A

公开(公告)日：

2014-07-09

发明(设计)人：

张尚勋沈庆辅

申请人：

申请人地址：

韩国全罗北道

IPC主分类号：

C23F130

IPC分类号：

H01L2177 H01L2128 H01L2350

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

武晨燕;胡春光

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-13	授权	授权
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633337403 IPC(主分类):C23F 1/30 专利申请号:2013104465287 申请日:20130926
2014-07-09	公开	公开
2014-10-15	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101706073417 IPC(主分类):C23F 1/30 专利申请号:2013104465287 变更事项:申请人变更前:东友 FINE-CHEM 股份有限公司变更后:东友精细化工有限公司变更事项:地址变更前:韩国全罗北道变更后:韩国全罗北道

共 50 条

[1]

刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法 [P].

张尚勋 ;

沈庆辅 ;

李昔准 .

中国专利 :CN103898509B ,2014-07-02

[2]

刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法 [P].

张尚勋 ;

沈庆辅 ;

李昔准 .

中国专利 :CN103820784A ,2014-05-28

[3]

用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法 [P].

权玟廷 ;

安基熏 ;

李昔准 .

中国专利 :CN105887091B ,2016-08-24

[4]

蚀刻剂组合物、形成LCD布线的方法、阵列基板及其制法 [P].

李恩远 ;

金镇成 ;

李石 .

中国专利 :CN103824808A ,2014-05-28

[5]

蚀刻剂组合物、形成金属线图案方法和制造阵列基板方法 [P].

刘仁浩 ;

鞠仁说 ;

南基龙 ;

尹暎晋 .

中国专利 :CN106148961A ,2016-11-23

[6]

银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法及金属图案的形成方法 [P].

权五柄 ;

李恩远 ;

赵现洙 .

中国专利 :CN111155092A ,2020-05-15

[7]

硅蚀刻液组合物、图案形成方法、阵列基板的制造方法、以及阵列基板 [P].

鲁珍圭 ;

金志原 ;

申宇埈 .

中国专利 :CN114231288A ,2022-03-25

[8]

蚀刻剂组合物和使用其制造金属图案和阵列基板的方法 [P].

金俸均 ;

金镇爽 ;

沈承辅 ;

崔新革 ;

沈枟亨 ;

李栋熙 ;

金奎佈 ;

申贤哲 ;

李大雨 ;

李相赫 .

中国专利 :CN110284139B ,2019-09-27

[9]

刻蚀剂组合物、阵列基板以及制造阵列基板的方法 [P].

崔容硕 ;

权五柄 ;

金童基 .

中国专利 :CN103806000A ,2014-05-21

[10]

光刻胶组合物及用它形成薄膜图案和阵列基板的方法 [P].

徐宏 ;

何向明 ;

王倩倩 .

中国专利 :CN111766762A ,2020-10-13

← 1 2 3 4 5 →