极紫外光刻反射式光学元件温控装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320807402.3

申请日：

2013-12-10

公开(公告)号：

CN203643742U

公开(公告)日：

2014-06-11

发明(设计)人：

王魁波吴晓斌王宇陈进新张罗莎罗艳谢婉露

申请人：

申请人地址：

100094 北京市海淀区邓庄南路9号

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G05D2320

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

宋焰琴

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G03F 7/20 登记生效日:20200826 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院空天信息创新研究院变更后权利人:中国科学院微电子研究所变更事项:地址变更前权利人:100190 北京市海淀区北四环西路19号变更后权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号
2014-06-11	授权	授权
2020-09-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G03F 7/20 登记生效日:20200826 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院光电研究院变更后权利人:中国科学院空天信息创新研究院变更事项:地址变更前权利人:100094 北京市海淀区邓庄南路9号变更后权利人:100190 北京市海淀区北四环西路19号

共 50 条

[1]

一种反射式光学元件温控系统 [P].

王魁波 ;

吴晓斌 ;

王宇 ;

陈进新 ;

张罗莎 ;

罗艳 ;

谢婉露 .

中国专利 :CN103677005A ,2014-03-26

[2]

用于极紫外光刻的反射光学元件 [P].

J.韦伯 .

中国专利 :CN102782531B ,2012-11-14

[3]

反射光学元件和用于极紫外光刻的光学系统 [P].

D.H.埃姆 ;

P.休伯 ;

S.米兰德 ;

G.冯布兰肯哈根 .

中国专利 :CN103547945B ,2014-01-29

[4]

一种反射式极紫外光刻胶检测装置 [P].

曹晶 ;

张子怡 ;

林楠 .

中国专利 :CN221884115U ,2024-10-22

[5]

反射式光学元件 [P].

D.库兹涅佐夫 ;

A.E.雅信 ;

H.恩基什 ;

V.梅德韦德夫 ;

F.比耶克 .

中国专利 :CN110737037A ,2020-01-31

[6]

用于极紫外光刻的反射掩模 [P].

V.卡梅诺夫 ;

S.米古拉 .

中国专利 :CN102770806A ,2012-11-07

[7]

一种反射式极紫外光刻胶检测方法与装置 [P].

曹晶 ;

张子怡 ;

林楠 .

中国专利 :CN117930599A ,2024-04-26

[8]

极紫外光刻的光学元件和光学系统及处理这种光学元件的方法 [P].

H.H.P.T.贝克曼 ;

D.H.埃姆 ;

J.休布雷格特斯 ;

A.J.斯托姆 ;

T.格雷伯 ;

I.阿门特 ;

D.斯米茨 ;

E.特斯莱特 ;

A.库兹尼特索夫 .

中国专利 :CN105074576A ,2015-11-18

[9]

极紫外光刻设备 [P].

J-H·弗兰克 ;

E·加拉赫 .

中国专利 :CN112213924B ,2021-01-12

[10]

极紫外光刻掩模 [P].

N·佩伦斯 ;

V·菲利普森 .

:CN119987118A ,2025-05-13

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