用于极紫外光刻的反射光学元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080063880.7

申请日：

2010-12-13

公开(公告)号：

CN102782531B

公开(公告)日：

2012-11-14

发明(设计)人：

J.韦伯

申请人：

申请人地址：

德国上科亨

IPC主分类号：

G02B508

IPC分类号：

G03F720

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邸万奎

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-17	授权	授权
2013-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101375919010 IPC(主分类):G02B 5/08 专利申请号:2010800638807 申请日:20101213
2012-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

反射光学元件和用于极紫外光刻的光学系统 [P].

D.H.埃姆 ;

P.休伯 ;

S.米兰德 ;

G.冯布兰肯哈根 .

中国专利 :CN103547945B ,2014-01-29

[2]

用于极紫外光刻的反射掩模 [P].

V.卡梅诺夫 ;

S.米古拉 .

中国专利 :CN102770806A ,2012-11-07

[3]

极紫外光刻反射式光学元件温控装置 [P].

王魁波 ;

吴晓斌 ;

王宇 ;

陈进新 ;

张罗莎 ;

罗艳 ;

谢婉露 .

中国专利 :CN203643742U ,2014-06-11

[4]

制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法 [P].

A.库兹尼佐夫 ;

M.格里森 ;

R.W.E.范德克鲁杰斯 ;

F.比杰科克 .

中国专利 :CN103635974A ,2014-03-12

[5]

用于极紫外波长范围内的波长的反射光学元件 [P].

A·帕兹迪斯 .

德国专利 :CN118946829A ,2024-11-12

[6]

极紫外光刻的光学元件和光学系统及处理这种光学元件的方法 [P].

H.H.P.T.贝克曼 ;

D.H.埃姆 ;

J.休布雷格特斯 ;

A.J.斯托姆 ;

T.格雷伯 ;

I.阿门特 ;

D.斯米茨 ;

E.特斯莱特 ;

A.库兹尼特索夫 .

中国专利 :CN105074576A ,2015-11-18

[7]

修复EUV光刻的反射光学元件的方法 [P].

R.迈耶 ;

H.基利 ;

C.雅利奇 ;

E.伊娃 ;

R.温特 ;

A.施密特纳 ;

A.库兹涅佐夫 ;

V.斯洛弗 ;

C.诺特波姆 ;

W.默克尔 .

中国专利 :CN110050310A ,2019-07-23

[8]

反射光学元件和用于操作EUV光刻设备的方法 [P].

D.H.埃姆 ;

A.多科纳尔 ;

G.冯布兰肯哈根 .

中国专利 :CN102576196A ,2012-07-11

[9]

用于极紫外光刻的相移掩模 [P].

金成洙 ;

金东完 ;

徐焕锡 .

中国专利 :CN113534598A ,2021-10-22

[10]

用于极紫外光刻的相移掩模 [P].

金成洙 ;

金东完 ;

徐焕锡 .

韩国专利 :CN113534598B ,2025-03-25

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