制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280029959.7

申请日：

2012-06-19

公开(公告)号：

CN103635974A

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

A.库兹尼佐夫 M.格里森 R.W.E.范德克鲁杰斯 F.比杰科克

申请人：

申请人地址：

德国上科亨

IPC主分类号：

G21K106

IPC分类号：

G02B508 G03F720 C23C1454 C23C1458

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邱军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-06	授权	授权
2014-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583965110 IPC(主分类):G21K 1/06 专利申请号:2012800299597 申请日:20120619
2014-03-12	公开	公开

共 50 条

[1]

修复EUV光刻的反射光学元件的方法 [P].

R.迈耶 ;

H.基利 ;

C.雅利奇 ;

E.伊娃 ;

R.温特 ;

A.施密特纳 ;

A.库兹涅佐夫 ;

V.斯洛弗 ;

C.诺特波姆 ;

W.默克尔 .

中国专利 :CN110050310A ,2019-07-23

[2]

反射式光学元件和EUV光刻的光学系统 [P].

C.诺特伯姆 .

中国专利 :CN108496116B ,2018-09-04

[3]

反射光学元件和用于操作EUV光刻设备的方法 [P].

D.H.埃姆 ;

A.多科纳尔 ;

G.冯布兰肯哈根 .

中国专利 :CN102576196A ,2012-07-11

[4]

反射光学元件及其制造方法 [P].

蒂姆·特萨法蒂 ;

欧文·佐索特 ;

埃里克·路易斯 ;

弗雷德里克·比杰柯克 .

中国专利 :CN102089683B ,2011-06-08

[5]

用于极紫外光刻的反射光学元件 [P].

J.韦伯 .

中国专利 :CN102782531B ,2012-11-14

[6]

反射光学元件及其制造方法 [P].

吉塞拉·冯布兰肯哈根 .

中国专利 :CN102159997A ,2011-08-17

[7]

用于沉积外层的工艺、用于EUV波长范围的反射光学元件和EUV光刻系统 [P].

D·厄姆 ;

S·施密特 ;

A·马梅里 ;

F·罗泽博姆 .

德国专利 :CN117545873A ,2024-02-09

[8]

反射光学元件和用于极紫外光刻的光学系统 [P].

D.H.埃姆 ;

P.休伯 ;

S.米兰德 ;

G.冯布兰肯哈根 .

中国专利 :CN103547945B ,2014-01-29

[9]

防反射光学元件和防反射光学元件的制造方法 [P].

宫原正明 ;

国定照房 ;

涩谷穰 .

中国专利 :CN102681044A ,2012-09-19

[10]

反射光学元件的基板 [P].

E.伊娃 .

中国专利 :CN112384483A ,2021-02-19

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